東(dōng)莞市源林(lín)電(diàn)子科技有(yǒu)限公(gōng)司

伴随着電(diàn)子設備朝智能(néng)化(huà)的(de)方(fāng)向(xiàng)不(bù)斷快速發(fà)展(zhǎn)，NTC芯片(piàn)在(zài)温(wēn)度(dù)監測、温(wēn)度(dù)補償、温(wēn)度(dù)控制中(zhōng)的(de)應(yìng)用(yòng)越来(lái)越廣泛。現(xiàn)有(yǒu)技術(shù)中(zhōng)，NTC芯片(piàn)的(de)制造材料通(tòng)常是(shì)陶瓷或(huò)聚合物(wù)，其(qí)生(shēng)産工藝一(yī)般为(wèi)：粉未制備——燒结錠子——切(qiè)成(chéng)片(piàn)——印(yìn)刷電(diàn)极(jí)——燒结银(yín)片(piàn)——去(qù)邊(biān)選片(piàn)——切(qiè)割。这(zhè)類(lèi)NTC芯片(piàn)包(bāo)含了(le)金(jīn)屬電(diàn)极(jí)和(hé)陶瓷體(tǐ)，金(jīn)屬電(diàn)极(jí)层(céng)設于瓷體(tǐ)的(de)两(liǎng)表(biǎo)面(miàn)上(shàng)，金(jīn)屬電(diàn)极(jí)充分(fēn)覆蓋瓷體(tǐ)的(de)两(liǎng)表(biǎo)面(miàn)。在(zài)後(hòu)續加工中(zhōng)，NTC芯片(piàn)根(gēn)據(jù)不(bù)同(tóng)的(de)需求，通(tòng)常采用(yòng)焊接、邦定(dìng)等方(fāng)式来(lái)安(ān)裝(zhuāng)固定(dìng)。當采用(yòng)焊接固定(dìng)NTC芯片(piàn)时(shí)，由于芯片(piàn)的(de)金(jīn)屬電(diàn)极(jí)面(miàn)與(yǔ)瓷體(tǐ)面(miàn)在(zài)同(tóng)一(yī)水(shuǐ)平面(miàn)上(shàng)，容易在(zài)芯片(piàn)頂端和(hé)底端發(fà)生(shēng)短(duǎn)路(lù)。當采用(yòng)邦定(dìng)固定(dìng)NTC芯片(piàn)时(shí)，银(yín)膏容易從其(qí)中(zhōng)一(yī)面(miàn)金(jīn)屬電(diàn)极(jí)沿着瓷體(tǐ)側面(miàn)橫跨到(dào)另(lìng)外(wài)一(yī)面(miàn)的(de)金(jīn)屬電(diàn)极(jí)，造成(chéng)短(duǎn)路(lù)。NTC芯片(piàn)短(duǎn)路(lù)的(de)問(wèn)題(tí)，会大(dà)大(dà)增加生(shēng)産成(chéng)本(běn)，阻礙了(le)生(shēng)産的(de)進(jìn)行。

为(wèi)了(le)克(kè)服(fú)現(xiàn)有(yǒu)技術(shù)中(zhōng)的(de)缺點(diǎn)和(hé)不(bù)足，源林(lín)電(diàn)子为(wèi)大(dà)家介紹一(yī)款防短(duǎn)路(lù)的(de)NTC芯片(piàn)，其(qí)包(bāo)含热(rè)敏基片(piàn)、第(dì)一(yī)金(jīn)屬電(diàn)极(jí)层(céng)和(hé)第(dì)二(èr)金(jīn)屬電(diàn)极(jí)层(céng)。热(rè)敏基片(piàn)其(qí)中(zhōng)一(yī)表(biǎo)面(miàn)包(bāo)含電(diàn)极(jí)區(qū)和(hé)絕緣區(qū)，絕緣區(qū)环(huán)繞設置于電(diàn)极(jí)區(qū)外(wài)圍。第(dì)一(yī)金(jīn)屬電(diàn)极(jí)层(céng)設于電(diàn)极(jí)區(qū)表(biǎo)面(miàn)，第(dì)二(èr)金(jīn)屬電(diàn)极(jí)层(céng)設于热(rè)敏基片(piàn)與(yǔ)電(diàn)极(jí)區(qū)相对(duì)的(de)另(lìng)一(yī)表(biǎo)面(miàn)，第(dì)一(yī)金(jīn)屬電(diàn)极(jí)层(céng)和(hé)第(dì)二(èr)金(jīn)屬電(diàn)极(jí)层(céng)的(de)厚度(dù)≥5μm。

这(zhè)款防短(duǎn)路(lù)NTC芯片(piàn)的(de)制備方(fāng)法(fǎ)如(rú)下(xià)：

1、制備热(rè)敏基片(piàn)：通(tòng)过(guò)配料——球磨——燒结——切(qiè)成(chéng)片(piàn)——清(qīng)洗，得到(dào)热(rè)敏基片(piàn)。

根(gēn)據(jù)材料配方(fāng)将各(gè)種(zhǒng)金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)（錳、钴、铁(tiě)、鎳、铜(tóng)、鋅）按照相應(yìng)比例配制得混合物(wù)料；然後(hòu)将物(wù)料倒入(rù)模具中(zhōng)，初步手(shǒu)压成(chéng)型後(hòu)，在(zài)超高压下(xià)繼續成(chéng)型，得到(dào)錠子；将錠子加入(rù)预先(xiān)鋪好氧化(huà)鋁(lǚ)砂的(de)氧化(huà)鋁(lǚ)缽內(nèi)，然後(hòu)用(yòng)氧化(huà)鋁(lǚ)砂填埋錠子後(hòu)進(jìn)行燒结，得到(dào)燒结好的(de)錠子；将錠子固定(dìng)于內(nèi)圆(yuán)切(qiè)割機(jī)專用(yòng)夾具上(shàng)，調整參數進(jìn)行切(qiè)割，然後(hòu)用(yòng)純水(shuǐ)超聲清(qīng)洗干淨後(hòu)烘干，得到(dào)热(rè)敏基片(piàn)。

2、在(zài)热(rè)敏基片(piàn)双(shuāng)面(miàn)印(yìn)刷金(jīn)屬浆料並(bìng)燒结成(chéng)電(diàn)极(jí)，在(zài)热(rè)敏基片(piàn)一(yī)側的(de)電(diàn)极(jí)上(shàng)形成(chéng)縱橫交錯排列的(de)沟(gōu)槽。

3、沿沟(gōu)槽对(duì)热(rè)敏基片(piàn)進(jìn)行劃(huà)切(qiè)，得到(dào)防短(duǎn)路(lù)的(de)NTC芯片(piàn)。

在(zài)热(rè)敏基片(piàn)的(de)一(yī)面(miàn)切(qiè)割開(kāi)槽（開(kāi)槽的(de)位(wèi)置根(gēn)據(jù)電(diàn)阻測試儀的(de)測試结果(guǒ)計(jì)算），把(bǎ)槽內(nèi)的(de)金(jīn)屬電(diàn)极(jí)挖掉後(hòu)，沿沟(gōu)槽对(duì)NTC芯片(piàn)劃(huà)切(qiè)，得到(dào)防短(duǎn)路(lù)的(de)NTC芯片(piàn)。

防短(duǎn)路(lù)的(de)NTC芯片(piàn)，通(tòng)过(guò)在(zài)热(rè)敏基片(piàn)表(biǎo)面(miàn)形成(chéng)絕緣區(qū)，在(zài)不(bù)增加器件(jiàn)制作(zuò)成(chéng)本(běn)的(de)前(qián)提(tí)下(xià)，大(dà)幅降低(dī)了(le)芯片(piàn)短(duǎn)路(lù)的(de)可(kě)能(néng)性(xìng)，從而(ér)降低(dī)生(shēng)産成(chéng)本(běn)，提(tí)高生(shēng)産質(zhì)量(liàng)。東(dōng)莞源林(lín)電(diàn)子科技有(yǒu)限公(gōng)司采用(yòng)先(xiān)進(jìn)的(de)半導體(tǐ)制程，结合自(zì)主知識産權的(de)NTC芯片(piàn)材料與(yǔ)加工工藝，通(tòng)过(guò)日(rì)本(běn)、台(tái)灣、德国進(jìn)口(kǒu)的(de)高精度(dù)材料加工、切(qiè)成(chéng)片(piàn)、封(fēng)裝(zhuāng)及(jí)測試設備，實(shí)現(xiàn)了(le)NTC芯片(piàn)的(de)高精度(dù)批量(liàng)化(huà)制造。