| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,品類(lèi)豐富
压敏電(diàn)阻的(de)物(wù)理(lǐ)特(tè)性(xìng):
ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)是(shì)一(yī)種(zhǒng)晶粒(lì)邊(biān)界現(xiàn)象(xiàng),即在(zài)相 邻晶粒(lì)耗盡层(céng)中(zhōng)存在(zài)多數電(diàn)荷载(zài)流子(電(diàn)子)的(de)勢壘。認 为(wèi)肖特(tè)基勢壘像 ZnO 微结構中(zhōng)晶粒(lì)邊(biān)界勢壘。晶粒(lì)邊(biān)界 上(shàng)的(de)負表(biǎo)面(miàn)電(diàn)荷(電(diàn)子捕獲)是(shì)由晶界面(miàn)两(liǎng)側晶粒(lì)的(de)耗盡 层(céng)的(de)正(zhèng)電(diàn)荷来(lái)補償的(de)。热(rè)電(diàn)子發(fà)射和(hé)隧道(dào)效應(yìng)是(shì)主要(yào)的(de)傳 输機(jī)制。 近(jìn)發(fà)展(zhǎn)的(de)压敏電(diàn)阻勢壘的(de)晶粒(lì)邊(biān)界缺陷模型在(zài)改進(jìn) 穩電(diàn)压應(yìng)力下(xià),压敏電(diàn)阻的(de)穩定(dìng)性(xìng)上(shàng)取(qǔ)得了(le)很大(dà)進(jìn)展(zhǎn)。

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,每个(gè)客戶的(de)个(gè)性(xìng)化(huà)需求不(bù)一(yī),想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多压敏電(diàn)阻的(de)信(xìn)息,请撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子(www.jqmi.com.cn)聯系(xì),謝謝






压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)工廠(chǎng)
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻器是(shì)一(yī)種(zhǒng)以氧化(huà)鋅为(wèi)主體(tǐ)、添加多種(zhǒng)金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)、經(jīng)典型的(de)電(diàn)子陶瓷工藝制成(chéng)的(de)多晶半導體(tǐ)陶瓷元(yuán)件(jiàn)。氧化(huà)鋅陶瓷是(shì)
由氧化(huà)鋅晶粒(lì)及(jí)晶界物(wù)質(zhì)組成(chéng)的(de),其(qí)中(zhōng)氧化(huà)鋅晶粒(lì)中(zhōng)摻有(yǒu)施主雜質(zhì)而(ér)呈N型半導體(tǐ),晶界物(wù)質(zhì)中(zhōng)含有(yǒu)大(dà)量(liàng)金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)形成(chéng)大(dà)量(liàng)界面(miàn)态,这(zhè)樣(yàng)每一(yī)微觀單元(yuán)是(shì)一(yī)个(gè)背靠背肖特(tè)基勢壘,整个(gè)陶瓷就(jiù)是(shì)由許多背靠背肖特(tè)基垫(diàn)壘串並(bìng)聯的(de)組合體(tǐ)。

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,每个(gè)客戶的(de)个(gè)性(xìng)化(huà)需求不(bù)一(yī),想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器的(de)信(xìn)息,请撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子(www.jqmi.com.cn)聯系(xì),謝謝!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |