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非(fēi)線(xiàn)性(xìng)區(qū)域:
中(zhōng)電(diàn)场(chǎng)區(qū)为(wèi)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)區(qū)域,也(yě)是(shì)压敏電(diàn)阻器應(yìng)用(yòng)中(zhōng)重(zhòng)要(yào)的(de)區(qū)域,導電(diàn)機(jī)理(lǐ)主要(yào)是(shì)隧道(dào)電(diàn)流及(jí)空(kōng)穴生(shēng)成(chéng)降低(dī)勢壘。如(rú)只(zhī)考慮隧道(dào)效應(yìng)J = J0exp(-λ/E),λ为(wèi)3π(2m)1/2φ3/2/2he,E为(wèi)耗盡层(céng)中(zhōng)的(de)電(diàn)场(chǎng)強(qiáng)度(dù),算出(chū)的(de)a值低(dī)于50。

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氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻器是(shì)一(yī)種(zhǒng)以氧化(huà)鋅为(wèi)主體(tǐ)、添加多種(zhǒng)金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)、經(jīng)典型的(de)電(diàn)子陶瓷工藝制成(chéng)的(de)多晶半導體(tǐ)陶瓷元(yuán)件(jiàn)。氧化(huà)鋅陶瓷是(shì)
由氧化(huà)鋅晶粒(lì)及(jí)晶界物(wù)質(zhì)組成(chéng)的(de),其(qí)中(zhōng)氧化(huà)鋅晶粒(lì)中(zhōng)摻有(yǒu)施主雜質(zhì)而(ér)呈N型半導體(tǐ),晶界物(wù)質(zhì)中(zhōng)含有(yǒu)大(dà)量(liàng)金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)形成(chéng)大(dà)量(liàng)界面(miàn)态,这(zhè)樣(yàng)每一(yī)微觀單元(yuán)是(shì)一(yī)个(gè)背靠背肖特(tè)基勢壘,整个(gè)陶瓷就(jiù)是(shì)由許多背靠背肖特(tè)基垫(diàn)壘串並(bìng)聯的(de)組合體(tǐ)。

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