| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)技術(shù)团(tuán)隊更(gèng)專業
压敏電(diàn)阻交流作(zuò)用(yòng)下(xià)的(de)老(lǎo)化(huà)機(jī)理(lǐ)
交流作(zuò)用(yòng)下(xià)。在(zài)正(zhèng)半周时(shí),假設右(yòu)側为(wèi)正(zhèng)极(jí)性(xìng),電(diàn)压主要(yào)加在(zài)右(yòu)側的(de)耗盡层(céng)上(shàng),使右(yòu)側的(de)Zni向(xiàng)晶界遷移,而(ér)左側所(suǒ)加電(diàn)压很低(dī),Zn
i向(xiàng)晶粒(lì)內(nèi)遷移不(bù)大(dà);在(zài)負半周,電(diàn)压主要(yào)加在(zài)左側,使左側Zni向(xiàng)晶界遷移,右(yòu)側这(zhè)时(shí)所(suǒ)加電(diàn)压很低(dī),Zni向(xiàng)晶粒(lì)體(tǐ)內(nèi)遷移不(bù)大(dà)。总的(de)结果(guǒ)是(shì)左右(yòu)两(liǎng)側的(de)Zni都向(xiàng)晶界遷移。

源林(lín)電(diàn)子(www.jqmi.com.cn)是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,廠(chǎng)家直(zhí)銷!






压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制,廠(chǎng)家直(zhí)銷
老(lǎo)化(huà)的(de)表(biǎo)現(xiàn):
老(lǎo)化(huà)是(shì)指在(zài)各(gè)種(zhǒng)外(wài)加應(yìng)力及(jí)外(wài)界因素作(zuò)用(yòng)下(xià),其(qí)性(xìng)能(néng)及(jí)電(diàn)气(qì)物(wù)理(lǐ)參數發(fà)生(shēng)改變(biàn),逐步偏離其(qí)起(qǐ)始性(xìng)能(néng)指标(biāo)。ZnO压敏電(diàn)阻器老(lǎo)化(huà)後(hòu)的(de)I-V特(tè)性(xìng),老(lǎo)化(huà)主要(yào)集中(zhōng)在(zài)预击穿區(qū),而(ér)击穿區(qū)的(de)老(lǎo)化(huà)較小,表(biǎo)現(xiàn)为(wèi)I-V特(tè)性(xìng)曲(qū)線(xiàn)在(zài)低(dī)電(diàn)场(chǎng)區(qū)向(xiàng)右(yòu)偏移,阻性(xìng)電(diàn)流加大(dà),功率損耗增大(dà),压敏電(diàn)压下(xià)降。直(zhí)流電(diàn)压作(zuò)用(yòng)後(hòu)的(de)老(lǎo)化(huà),I-V特(tè)性(xìng)不(bù)对(duì)稱;交流電(diàn)压作(zuò)用(yòng)下(xià)的(de)老(lǎo)化(huà)。另(lìng)老(lǎo)化(huà)後(hòu)電(diàn)容量(liàng)減小,介電(diàn)損耗增大(dà)。

源林(lín)電(diàn)子(www.jqmi.com.cn)是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,廠(chǎng)家直(zhí)銷!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |