| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,廠(chǎng)家直(zhí)銷
ZnO晶相位(wèi)于晶粒(lì)體(tǐ)內(nèi),为(wèi)低(dī)電(diàn)阻率的(de)半導體(tǐ),对(duì)大(dà)電(diàn)流特(tè)性(xìng)有(yǒu)決定(dìng)性(xìng)作(zuò)用(yòng)。ZnO半導化(huà)的(de)原因主要(yào)是(shì)氧不(bù)足導致(zhì)的(de)非(fēi)化(huà)學(xué)計(jì)量(liàng)比和(hé)施主摻雜,有(yǒu)大(dà)量(liàng)的(de)導電(diàn)電(diàn)子存在(zài),为(wèi)n型半導體(tǐ)。富铋相,约在(zài)750℃形成(chéng)12/14 Bi2O3
·Cr2O3 ,温(wēn)度(dù)低(dī)于850℃參與(yǔ)形成(chéng)焦綠(lǜ)石(dàn)相,超过(guò)850℃後(hòu)從焦綠(lǜ)石(dàn)相中(zhōng)分(fēn)離出(chū)来(lái),生(shēng)成(chéng)含
Cr的(de)富铋相,含有(yǒu)尖晶石(dàn)相和(hé)Zn,随着温(wēn)度(dù)的(de)升(shēng)高,Cr逐步移到(dào)尖晶石(dàn)相中(zhōng)。
Cr有(yǒu)穩定(dìng)尖晶石(dàn)相的(de)作(zuò)用(yòng),高温(wēn)冷(lěng)卻时(shí),可(kě)以阻止生(shēng)成(chéng)焦綠(lǜ)石(dàn)相。 焦綠(lǜ)石(dàn)相700-900℃时(shí)形成(chéng),850℃时(shí)达(dá)到(dào)峰(fēng)值,约950℃时(shí)消失,
反(fǎn)應(yìng)式如(rú)下(xià)
2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,篇(piān)幅有(yǒu)限,恕不(bù)一(yī)一(yī)呈現(xiàn),欲知詳请,歡迎撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì),謝謝!






压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)研發(fà)隊伍
压敏電(diàn)阻器在(zài)電(diàn)路(lù)的(de)过(guò)電(diàn)压防護中(zhōng),如(rú)果(guǒ)正(zhèng)常工作(zuò)在(zài)预击穿區(qū)和(hé)击穿區(qū),理(lǐ)论上(shàng)是(shì)不(bù)会損壞的(de)。但由于压敏電(diàn)阻器要(yào)长(cháng)期(qī)承受電(diàn)源電(diàn)压,電(diàn)路(lù)中(zhōng)暂态过(guò)電(diàn)压、超能(néng)量(liàng)过(guò)電(diàn)压随機(jī)的(de)不(bù)斷沖击及(jí)吸收(shōu)電(diàn)路(lù)儲能(néng)元(yuán)件(jiàn)釋放(fàng)能(néng)量(liàng),因此(cǐ),压敏電(diàn)阻器也(yě)是(shì)会損壞的(de)它(tā)的(de)壽命根(gēn)據(jù)所(suǒ)在(zài)電(diàn)路(lù)經(jīng)受的(de)过(guò)電(diàn)压幅值和(hé)能(néng)量(liàng)的(de)不(bù)同(tóng)而(ér)不(bù)同(tóng)。

源林(lín)電(diàn)子的(de)压敏電(diàn)阻,工藝先(xiān)進(jìn),質(zhì)量(liàng)可(kě)靠,量(liàng)大(dà)價從優,歡迎来(lái)電(diàn)咨詢!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |