| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻器采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,品種(zhǒng)齊全(quán)
上(shàng)升(shēng)區(qū):當过(guò)電(diàn)压很大(dà),使得通(tòng)过(guò)压敏電(diàn)阻器的(de)電(diàn)流大(dà)于约100A/cm2时(shí),压敏電(diàn)阻器的(de)伏安(ān)特(tè)性(xìng)主要(yào)由晶粒(lì)電(diàn)阻的(de)伏安(ān)特(tè)性(xìng)来(lái)決定(dìng)。此(cǐ)时(shí)压敏電(diàn)阻器的(de)伏安(ān)特(tè)性(xìng)呈線(xiàn)性(xìng)電(diàn)導特(tè)性(xìng),即:I=V/Rg 上(shàng)升(shēng)區(qū)電(diàn)流與(yǔ)電(diàn)压幾(jǐ)乎呈線(xiàn)性(xìng)關(guān)系(xì),压敏電(diàn)阻器在(zài)該區(qū)域已經(jīng)劣化(huà),
失去(qù)了(le)其(qí)抑制过(guò)電(diàn)压、吸收(shōu)或(huò)釋放(fàng)浪湧的(de)能(néng)量(liàng)等特(tè)性(xìng)。根(gēn)據(jù)压敏電(diàn)阻器的(de)導電(diàn)機(jī)理(lǐ),其(qí)对(duì)过(guò)電(diàn)压的(de)響應(yìng)速度(dù)很快,如(rú)带(dài)引線(xiàn)式和(hé)專用(yòng)電(diàn)极(jí)産品,一(yī)般響應(yìng)时(shí)間(jiān)小于25納秒(miǎo)。因此(cǐ)只(zhī)要(yào)選择和(hé)使用(yòng)得當,压敏電(diàn)阻器对(duì)線(xiàn)路(lù)中(zhōng)出(chū)現(xiàn)的(de)瞬态过(guò)電(diàn)压有(yǒu)優良的(de)抑制作(zuò)用(yòng),從而(ér)达(dá)到(dào)保護電(diàn)路(lù)中(zhōng)其(qí)它(tā)元(yuán)件(jiàn)免遭(zāo)过(guò)電(diàn)压破壞的(de)目的(de)。
源林(lín)電(diàn)子的(de)压敏電(diàn)阻器廣受贊譽,可(kě)靠性(xìng)高、性(xìng)價比高,具有(yǒu)很強(qiáng)的(de)市场(chǎng)競争力,想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器資料,歡迎来(lái)電(diàn)咨詢!






压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,廠(chǎng)貨直(zhí)供
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻的(de)缺陷:
ZnO压敏電(diàn)阻器中(zhōng)的(de)缺陷有(yǒu)正(zhèng)一(yī)價和(hé)正(zhèng)二(èr)價的(de)Zni和(hé)Vo,負一(yī)價和(hé)負二(èr)價的(de)
VZn ,正(zhèng)一(yī)價的(de)DZn。VZn主要(yào)在(zài)晶界處(chù),VZn为(wèi)受主态,使晶粒(lì)表(biǎo)面(miàn)形成(chéng)一(yī)電(diàn)子耗盡层(céng)而(ér)産生(shēng)勢壘,约0.7eV。Zni容易遷移为(wèi)亚穩态,是(shì)老(lǎo)化(huà)産生(shēng)的(de)根(gēn)源所(suǒ)在(zài)。DZn可(kě)降低(dī)晶粒(lì)體(tǐ)的(de)電(diàn)阻,提(tí)高通(tòng)流容量(liàng)。Vo在(zài)氧不(bù)足的(de)ZnO-x中(zhōng)量(liàng)很少(shǎo),主要(yào)存在(zài)于晶界中(zhōng)。高温(wēn)时(shí)原子運動(dòng)加剧,在(zài)晶界中(zhōng)形成(chéng)大(dà)量(liàng)的(de)VZn和(hé)Vo,但Vo在(zài)冷(lěng)卻过(guò)程中(zhōng)容易從空(kōng)气(qì)中(zhōng)吸收(shōu)氧而(ér)消失。

源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻選型電(diàn)話(huà)就(jiù)在(zài)图(tú)片(piàn)中(zhōng),歡迎来(lái)電(diàn)!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |