東(dōng)莞市源林(lín)電(diàn)子科技有(yǒu)限公(gōng)司

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ZnO压敏電(diàn)阻器的(de)结構：

晶粒(lì)體(tǐ)为(wèi)電(diàn)阻率很低(dī)的(de)半導體(tǐ)，晶界为(wèi)絕緣體(tǐ)，類(lèi)似邊(biān)界层(céng)電(diàn)容器，另(lìng)在(zài)晶界形成(chéng)两(liǎng)背靠背的(de)肖特(tè)基勢壘。因邻近(jìn)晶粒(lì)的(de)取(qǔ)向(xiàng)不(bù)同(tóng)，两(liǎng)晶粒(lì)交界處(chù)结構松弛，雜質(zhì)占據(jù)这(zhè)些位(wèi)置比占據(jù)體(tǐ)內(nèi)晶格位(wèi)置的(de)能(néng)量(liàng)低(dī)，所(suǒ)以容易在(zài)晶界偏析。

源林(lín)電(diàn)子是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器，自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊，廠(chǎng)家直(zhí)銷！

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ＺｎＯ　压敏電(diàn)阻的(de)微觀结構分(fēn)析發(fà)現(xiàn)，形成(chéng)的(de)四(sì)个(gè)主要(yào) 成(chéng)分(fēn)是(shì)　ＺｎＯ、尖晶石(dàn)、焦綠(lǜ)石(dàn)和(hé)一(yī)些富　Ｂｉ　相（图(tú)　３）。图(tú) 中(zhōng)也(yě)指明(míng)了(le)組分(fēn)存在(zài)的(de)部(bù)位(wèi)，還(huán)存在(zài)一(yī)些用(yòng)現(xiàn)有(yǒu)技術(shù)尚不(bù) 易檢測出(chū)来(lái)的(de)其(qí)它(tā)次(cì)要(yào)相。 ＺｎＯ　压敏電(diàn)阻的(de)典型晶粒(lì)尺(chǐ)寸(cùn)在(zài)１５和(hé)２０μｍ　之(zhī)間(jiān)， 並(bìng)且(qiě)也(yě)总是(shì)伴有(yǒu)双(shuāng)晶。ＳｉＯ２的(de)存在(zài)抑制晶粒(lì)生(shēng)长(cháng)，而(ér)　ＴｉＯ２　 和(hé)　ＢａＯ　則加速晶粒(lì)长(cháng)大(dà)。尖晶石(dàn)和(hé)焦綠(lǜ)石(dàn)相对(duì)晶粒(lì)长(cháng)大(dà)有(yǒu) 抑制作(zuò)用(yòng)。焦綠(lǜ)石(dàn)相在(zài)低(dī)温(wēn)时(shí)起(qǐ)作(zuò)用(yòng)，而(ér)尖晶石(dàn)相在(zài)高温(wēn) 时(shí)有(yǒu)利。當用(yòng)盐(yán)酸(suān)浸蝕晶粒(lì)时(shí)，中(zhōng)間(jiān)相呈現(xiàn)出(chū)在(zài)電(diàn)性(xìng)上(shàng)絕 緣的(de)三維网(wǎng)絡。 燒结形成(chéng)的(de)　ＺｎＯ　晶粒(lì)是(shì)　ＺｎＯ　压敏電(diàn)阻的(de)基本(běn)構成(chéng)單純　ＺｎＯ　是(shì)具有(yǒu)線(xiàn)性(xìng)　Ｉ－Ｕ　特(tè)性(xìng)的(de)非(fēi)化(huà)學(xué)計(jì)量(liàng)　ｎ　型半導 體(tǐ)。進(jìn)入(rù)　 ＺｎＯ　 中(zhōng)的(de)各(gè)種(zhǒng)添加物(wù)使其(qí)具有(yǒu)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)。这(zhè)些氧 化(huà)物(wù)中(zhōng)主要(yào)是(shì)　 Ｂｉ ２Ｏ３。这(zhè)些氧化(huà)物(wù)的(de)引入(rù)，在(zài)晶粒(lì)和(hé)晶粒(lì) 邊(biān)界處(chù)形成(chéng)原子缺陷，施主或(huò)類(lèi)施主缺陷支配着耗盡层(céng)， 而(ér)受主和(hé)類(lèi)受主缺陷支配着晶粒(lì)邊(biān)界狀态。相關(guān)的(de)缺陷類(lèi) 型是(shì)鋅空(kōng)位(wèi)（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空(kōng)位(wèi)（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙鋅

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