| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,品類(lèi)豐富
ZnO是(shì)六(liù)方(fāng)晶系(xì)纖鋅矿结構,其(qí)化(huà)學(xué)键處(chù)于離子键與(yǔ)共(gòng)價键的(de)中(zhōng)間(jiān)键型狀态,氧離子以六(liù)方(fāng)密堆(duī),鋅離子占據(jù)一(yī)半的(de)四(sì)面(miàn)體(tǐ)空(kōng)隙,鋅和(hé)氧都是(shì)四(sì)面(miàn)體(tǐ)配位(wèi)。ZnO是(shì)相对(duì)開(kāi)放(fàng)的(de)晶體(tǐ)结構,開(kāi)放(fàng)的(de)结構对(duì)缺陷的(de)性(xìng)質(zhì)及(jí)擴散(sàn)機(jī)制有(yǒu)影響,所(suǒ)有(yǒu)的(de)八(bā)面(miàn)體(tǐ)間(jiān)隙和(hé)一(yī)半的(de)四(sì)面(miàn)體(tǐ)間(jiān)隙是(shì)空(kōng)的(de),正(zhèng)負離子的(de)配位(wèi)數均为(wèi)4,所(suǒ)以容易引入(rù)外(wài)部(bù)雜質(zhì),ZnO熔點(diǎn)为(wèi)2248,密度(dù)为(wèi)5.6g/cm3,純淨的(de)ZnO晶體(tǐ),其(qí)能(néng)带(dài)由02-的(de)滿的(de)2p電(diàn)子能(néng)級和(hé)Zn2+的(de)空(kōng)的(de)4s能(néng)級組成(chéng),禁带(dài)宽(kuān)度(dù)为(wèi)3.2~3.4eV,因此(cǐ),室(shì)温(wēn)下(xià),滿足化(huà)學(xué)計(jì)量(liàng)比的(de)純淨ZnO應(yìng)是(shì)絕緣體(tǐ),而(ér)ZnO中(zhōng)常見(jiàn)的(de)缺陷是(shì)金(jīn)屬填隙原子,所(suǒ)以它(tā)是(shì)金(jīn)屬过(guò)剩(Zn1+xO)非(fēi)化(huà)學(xué)計(jì)量(liàng)比n型半導體(tǐ)。
Eda等認为(wèi),在(zài)本(běn)征缺陷中(zhōng),填隙鋅原子擴散(sàn)快,对(duì)压敏電(diàn)阻穩定(dìng)性(xìng)有(yǒu)很大(dà)影響。
由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,每个(gè)客戶的(de)个(gè)性(xìng)化(huà)需求不(bù)一(yī)。想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多压敏電(diàn)阻的(de)信(xìn)息,请撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì),謝謝!






压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,更(gèng)專業
通(tòng)流量(liàng)(峰(fēng)值電(diàn)流)Im
通(tòng)流容量(liàng)(kA)也(yě)稱通(tòng)流量(liàng),是(shì)指在(zài)規定(dìng)的(de)条(tiáo)件(jiàn)(規定(dìng)的(de)时(shí)間(jiān)間(jiān)隔和(hé)次(cì)數,施加标(biāo)準的(de)沖击電(diàn)流)下(xià),允許通(tòng)过(guò)压敏電(diàn)阻器上(shàng)的(de)脈沖(峰(fēng)值)電(diàn)流值。目前(qián)大(dà)多數廠(chǎng)家在(zài)说(shuō)明(míng)書(shū)中(zhōng)通(tòng)常給(gěi)出(chū)两(liǎng)个(gè)通(tòng)流量(liàng)指标(biāo),一(yī)个(gè)是(shì)沖击一(yī)次(cì)的(de)指标(biāo),另(lìng)一(yī)个(gè)是(shì)沖击两(liǎng)次(cì)(間(jiān)隔5分(fēn)鐘(zhōng))的(de)指标(biāo)。

源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻免費取(qǔ)樣(yàng),一(yī)个(gè)電(diàn)話(huà)搞定(dìng)!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |