| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,滿足个(gè)性(xìng)化(huà)需求
ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)微觀结構分(fēn)析發(fà)現(xiàn),形成(chéng)的(de)四(sì)个(gè)主要(yào) 成(chéng)分(fēn)是(shì) ZnO、尖晶石(dàn)、焦綠(lǜ)石(dàn)和(hé)一(yī)些富 Bi 相(图(tú) 3)。图(tú) 中(zhōng)也(yě)指明(míng)了(le)組分(fēn)存在(zài)的(de)部(bù)位(wèi),還(huán)存在(zài)一(yī)些用(yòng)現(xiàn)有(yǒu)技術(shù)尚不(bù) 易檢測出(chū)来(lái)的(de)其(qí)它(tā)次(cì)要(yào)相。 ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)典型晶粒(lì)尺(chǐ)寸(cùn)在(zài)15和(hé)20μm 之(zhī)間(jiān), 並(bìng)且(qiě)也(yě)总是(shì)伴有(yǒu)双(shuāng)晶。SiO2的(de)存在(zài)抑制晶粒(lì)生(shēng)长(cháng),而(ér) TiO2 和(hé) BaO 則加速晶粒(lì)长(cháng)大(dà)。尖晶石(dàn)和(hé)焦綠(lǜ)石(dàn)相对(duì)晶粒(lì)长(cháng)大(dà)有(yǒu) 抑制作(zuò)用(yòng)。焦綠(lǜ)石(dàn)相在(zài)低(dī)温(wēn)时(shí)起(qǐ)作(zuò)用(yòng),而(ér)尖晶石(dàn)相在(zài)高温(wēn) 时(shí)有(yǒu)利。當用(yòng)盐(yán)酸(suān)浸蝕晶粒(lì)时(shí),中(zhōng)間(jiān)相呈現(xiàn)出(chū)在(zài)電(diàn)性(xìng)上(shàng)絕 緣的(de)三維网(wǎng)絡。 燒结形成(chéng)的(de) ZnO 晶粒(lì)是(shì) ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)基本(běn)構成(chéng)單純 ZnO 是(shì)具有(yǒu)線(xiàn)性(xìng) I-U 特(tè)性(xìng)的(de)非(fēi)化(huà)學(xué)計(jì)量(liàng) n 型半導 體(tǐ)。進(jìn)入(rù) ZnO 中(zhōng)的(de)各(gè)種(zhǒng)添加物(wù)使其(qí)具有(yǒu)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)。这(zhè)些氧 化(huà)物(wù)中(zhōng)主要(yào)是(shì) Bi 2O3。这(zhè)些氧化(huà)物(wù)的(de)引入(rù),在(zài)晶粒(lì)和(hé)晶粒(lì) 邊(biān)界處(chù)形成(chéng)原子缺陷,施主或(huò)類(lèi)施主缺陷支配着耗盡层(céng), 而(ér)受主和(hé)類(lèi)受主缺陷支配着晶粒(lì)邊(biān)界狀态。相關(guān)的(de)缺陷類(lèi) 型是(shì)鋅空(kōng)位(wèi)(V Zn'、V Zn'')、氧空(kōng)位(wèi)(V o 、V o )、填隙鋅

源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻免費取(qǔ)樣(yàng),一(yī)个(gè)電(diàn)話(huà)搞定(dìng)!






压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,廠(chǎng)家直(zhí)銷
掃描電(diàn)子顯微鏡(jìng)(簡稱掃描電(diàn)鏡(jìng),SEM)是(shì)繼透射電(diàn)鏡(jìng)之(zhī)後(hòu)發(fà)展(zhǎn)起(qǐ)来(lái)的(de)一(yī)種(zhǒng)電(diàn)鏡(jìng)。與(yǔ)透射電(diàn)鏡(jìng)的(de)成(chéng)像方(fāng)式不(bù)同(tóng),掃描電(diàn)鏡(jìng)是(shì)用(yòng)聚焦電(diàn)子束(shù)在(zài)樣(yàng)品表(biǎo)面(miàn)逐點(diǎn)掃描成(chéng)像。試樣(yàng)为(wèi)块(kuài)狀或(huò)粉末(mò)颗(kē)粒(lì),成(chéng)像信(xìn)号(hào)可(kě)以是(shì)二(èr)次(cì)電(diàn)子(被(bèi)入(rù)射電(diàn)子轟击出(chū)来(lái)的(de)樣(yàng)品核外(wài)電(diàn)子)、背散(sàn)射電(diàn)子(被(bèi)固體(tǐ)樣(yàng)品中(zhōng)原子反(fǎn)射回(huí)来(lái)的(de)一(yī)部(bù)分(fēn)入(rù)射電(diàn)子)或(huò)吸收(shōu)電(diàn)子。其(qí)中(zhōng)二(èr)次(cì)電(diàn)子为(wèi)主要(yào)的(de)成(chéng)像信(xìn)号(hào)。現(xiàn)以二(èr)次(cì)電(diàn)子像的(de)成(chéng)像过(guò)程来(lái)说(shuō)明(míng)掃描電(diàn)鏡(jìng)的(de)工作(zuò)原理(lǐ)。由電(diàn)子槍發(fà)射的(de)能(néng)量(liàng)为(wèi)5-35KeV的(de)電(diàn)子,以其(qí)交叉(chā)斑作(zuò)为(wèi)電(diàn)子源,經(jīng)二(èr)級聚光(guāng)鏡(jìng)及(jí)物(wù)鏡(jìng)的(de)縮小形成(chéng)
具有(yǒu)一(yī)定(dìng)能(néng)量(liàng)、一(yī)定(dìng)束(shù)流強(qiáng)度(dù)和(hé)束(shù)斑直(zhí)徑的(de)微细(xì)電(diàn)子束(shù),在(zài)掃描線(xiàn)圈驅動(dòng)下(xià),于試樣(yàng)表(biǎo)面(miàn)按一(yī)定(dìng)时(shí)間(jiān)、空(kōng)間(jiān)順序作(zuò)栅网(wǎng)式掃描。聚焦電(diàn)子束(shù)與(yǔ)試樣(yàng)相互作(zuò)用(yòng),産生(shēng)二(èr)次(cì)電(diàn)子發(fà)射(以及(jí)其(qí)他(tā)物(wù)理(lǐ)信(xìn)号(hào)),二(èr)次(cì)電(diàn)子發(fà)射量(liàng)随試樣(yàng)表(biǎo)面(miàn)形貌而(ér)變(biàn)化(huà)。二(èr)次(cì)電(diàn)子信(xìn)号(hào)被(bèi)探測器收(shōu)集轉(zhuǎn)換成(chéng)電(diàn)訊号(hào),經(jīng)視頻放(fàng)大(dà)後(hòu)输入(rù)到(dào)顯像管栅极(jí),調制與(yǔ)入(rù)射電(diàn)子束(shù)同(tóng)步掃描的(de)顯像管亮(liàng)度(dù),得到(dào)反(fǎn)映試樣(yàng)表(biǎo)面(miàn)形貌的(de)二(èr)次(cì)電(diàn)子像。

源林(lín)電(diàn)子是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,廠(chǎng)家直(zhí)銷!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |