| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,品類(lèi)豐富
压敏電(diàn)阻的(de)物(wù)理(lǐ)特(tè)性(xìng):
ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)是(shì)一(yī)種(zhǒng)晶粒(lì)邊(biān)界現(xiàn)象(xiàng),即在(zài)相 邻晶粒(lì)耗盡层(céng)中(zhōng)存在(zài)多數電(diàn)荷载(zài)流子(電(diàn)子)的(de)勢壘。認 为(wèi)肖特(tè)基勢壘像 ZnO 微结構中(zhōng)晶粒(lì)邊(biān)界勢壘。晶粒(lì)邊(biān)界 上(shàng)的(de)負表(biǎo)面(miàn)電(diàn)荷(電(diàn)子捕獲)是(shì)由晶界面(miàn)两(liǎng)側晶粒(lì)的(de)耗盡 层(céng)的(de)正(zhèng)電(diàn)荷来(lái)補償的(de)。热(rè)電(diàn)子發(fà)射和(hé)隧道(dào)效應(yìng)是(shì)主要(yào)的(de)傳 输機(jī)制。 近(jìn)發(fà)展(zhǎn)的(de)压敏電(diàn)阻勢壘的(de)晶粒(lì)邊(biān)界缺陷模型在(zài)改進(jìn) 穩電(diàn)压應(yìng)力下(xià),压敏電(diàn)阻的(de)穩定(dìng)性(xìng)上(shàng)取(qǔ)得了(le)很大(dà)進(jìn)展(zhǎn)。

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,每个(gè)客戶的(de)个(gè)性(xìng)化(huà)需求不(bù)一(yī),想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多压敏電(diàn)阻的(de)信(xìn)息,请撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì),謝謝






压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制,廠(chǎng)家直(zhí)銷
限制電(diàn)压比
限制電(diàn)压比是(shì)指在(zài)通(tòng)流能(néng)力實(shí)验(yàn)中(zhōng)通(tòng)过(guò)特(tè)定(dìng)電(diàn)流时(shí)加在(zài)压敏電(diàn)阻器两(liǎng)端的(de)電(diàn)压Up與(yǔ)压敏電(diàn)压U1mA的(de)比值。它(tā)體(tǐ)現(xiàn)了(le)压敏電(diàn)阻器在(zài)大(dà)電(diàn)流通(tòng)过(guò)时(shí)的(de)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)特(tè)性(xìng),限制電(diàn)压比越小,越能(néng)起(qǐ)到(dào)保護電(diàn)路(lù)的(de)作(zuò)用(yòng)。通(tòng)流值和(hé)限制電(diàn)压比一(yī)同(tóng)反(fǎn)映了(le)压敏電(diàn)阻工作(zuò)特(tè)性(xìng)的(de)好壞,即是(shì)压敏電(diàn)阻通(tòng)流值越大(dà)越能(néng)吸收(shōu)浪湧電(diàn)流,限制電(diàn)压比越小,分(fēn)流作(zuò)用(yòng)就(jiù)越明(míng)顯,保護特(tè)性(xìng)就(jiù)越好。

源林(lín)電(diàn)子是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,廠(chǎng)家直(zhí)銷!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |