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老(lǎo)化(huà)失效，这(zhè)是(shì)指電(diàn)阻體(tǐ)的(de)低(dī)阻線(xiàn)性(xìng)化(huà)逐步加剧，漏電(diàn)流惡性(xìng)增加且(qiě)集中(zhōng)流入(rù)薄弱(ruò)點(diǎn)，薄弱(ruò)點(diǎn)材料融化(huà)，形成(chéng)1k?左右(yòu)的(de)短(duǎn)路(lù)孔後(hòu)，電(diàn)源繼續推動(dòng)一(yī)个(gè)較大(dà)的(de)電(diàn)流灌入(rù)短(duǎn)路(lù)點(diǎn)，形成(chéng)高热(rè)而(ér)起(qǐ)火。这(zhè)種(zhǒng)事(shì)故通(tòng)常可(kě)以通(tòng)过(guò)一(yī)个(gè)與(yǔ)压敏電(diàn)阻串聯的(de)热(rè)熔接點(diǎn)来(lái)避免。热(rè)熔接點(diǎn)應(yìng)與(yǔ)電(diàn)阻體(tǐ)有(yǒu)良好的(de)热(rè)耦合，當沖击電(diàn)流流过(guò)时(shí)不(bù)会斷開(kāi)，但當温(wēn)度(dù)超过(guò)電(diàn)阻體(tǐ)上(shàng)限工作(zuò)温(wēn)度(dù)时(shí)即斷開(kāi)。研究结果(guǒ)表(biǎo)明(míng)， 若压敏電(diàn)阻存在(zài)着制造缺陷，易發(fà)生(shēng)早(zǎo)期(qī)失效， 強(qiáng)度(dù)不(bù)大(dà)的(de)電(diàn)沖击的(de)多次(cì)作(zuò)用(yòng)，也(yě)会加速老(lǎo)化(huà)过(guò)程，使老(lǎo)化(huà)失效提(tí)早(zǎo)出(chū)現(xiàn)。

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多，每个(gè)客戶的(de)个(gè)性(xìng)化(huà)需求不(bù)一(yī)，想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器的(de)信(xìn)息，请撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì)，謝謝！

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合理(lǐ)的(de)配方(fāng)和(hé)工藝是(shì)控制材料的(de)化(huà)學(xué)成(chéng)分(fēn)和(hé)微觀结構，獲取(qǔ)優良的(de)宏觀物(wù)理(lǐ)性(xìng)能(néng)的(de)關(guān)键。而(ér)ZnO压敏陶瓷實(shí)验(yàn)配方(fāng)的(de)設計(jì)是(shì)晶粒(lì)能(néng)否低(dī)压化(huà)的(de)關(guān)键技術(shù)之(zhī)一(yī)，各(gè)種(zhǒng)元(yuán)素的(de)添加和(hé)量(liàng)的(de)控制直(zhí)接影響材料的(de)顯微结構和(hé)晶界特(tè)性(xìng)，進(jìn)而(ér)決定(dìng)压敏性(xìng)能(néng)。ZnO本(běn)身(shēn)的(de)電(diàn)性(xìng)質(zhì)对(duì)本(běn)征缺陷,尤其(qí)是(shì)对(duì)氧空(kōng)位(wèi)和(hé)鋅填隙比較敏感(gǎn),摻雜在(zài)压敏特(tè)性(xìng)的(de)形成(chéng)过(guò)程中(zhōng)，影響燒结时(shí)晶粒(lì)的(de)生(shēng)长(cháng)、液相在(zài)冷(lěng)卻时(shí)的(de)去(qù)潤湿(shī)作(zuò)用(yòng)以及(jí)陶瓷的(de)電(diàn)子缺陷态。到(dào)目前(qián)为(wèi)止，人(rén)们(men)对(duì)低(dī)压化(huà)及(jí)摻雜改性(xìng)方(fāng)面(miàn)己經(jīng)作(zuò)了(le)很多研究工作(zuò)，得到(dào)了(le)許多有(yǒu)價值的(de)结果(guǒ)，如(rú)Co、Mn

、Sb等可(kě)改善非(fēi)線(xiàn)性(xìng)指數，Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可(kě)使ZnO晶粒(lì)絕緣和(hé)提(tí)供所(suǒ)需元(yuán)素(O2、Co、Mn、Zn等)到(dào)晶界，Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的(de)添加可(kě)改善穩定(dìng)性(xìng)，而(ér)A1、Ga、F、Cr等可(kě)改善大(dà)電(diàn)流非(fēi)線(xiàn)性(xìng)指數(形成(chéng)ZnO晶粒(lì)中(zhōng)的(de)施主)，Sb及(jí)Si可(kě)抑制晶粒(lì)生(shēng)长(cháng)，Be、Ti、Sn則可(kě)促進(jìn)晶粒(lì)生(shēng)长(cháng)。

源林(lín)電(diàn)子是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器，自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊，廠(chǎng)家直(zhí)銷！

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