| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,廠(chǎng)家直(zhí)銷
ZnO晶相位(wèi)于晶粒(lì)體(tǐ)內(nèi),为(wèi)低(dī)電(diàn)阻率的(de)半導體(tǐ),对(duì)大(dà)電(diàn)流特(tè)性(xìng)有(yǒu)決定(dìng)性(xìng)作(zuò)用(yòng)。ZnO半導化(huà)的(de)原因主要(yào)是(shì)氧不(bù)足導致(zhì)的(de)非(fēi)化(huà)學(xué)計(jì)量(liàng)比和(hé)施主摻雜,有(yǒu)大(dà)量(liàng)的(de)導電(diàn)電(diàn)子存在(zài),为(wèi)n型半導體(tǐ)。富铋相,约在(zài)750℃形成(chéng)12/14 Bi2O3
·Cr2O3 ,温(wēn)度(dù)低(dī)于850℃參與(yǔ)形成(chéng)焦綠(lǜ)石(dàn)相,超过(guò)850℃後(hòu)從焦綠(lǜ)石(dàn)相中(zhōng)分(fēn)離出(chū)来(lái),生(shēng)成(chéng)含
Cr的(de)富铋相,含有(yǒu)尖晶石(dàn)相和(hé)Zn,随着温(wēn)度(dù)的(de)升(shēng)高,Cr逐步移到(dào)尖晶石(dàn)相中(zhōng)。
Cr有(yǒu)穩定(dìng)尖晶石(dàn)相的(de)作(zuò)用(yòng),高温(wēn)冷(lěng)卻时(shí),可(kě)以阻止生(shēng)成(chéng)焦綠(lǜ)石(dàn)相。 焦綠(lǜ)石(dàn)相700-900℃时(shí)形成(chéng),850℃时(shí)达(dá)到(dào)峰(fēng)值,约950℃时(shí)消失,
反(fǎn)應(yìng)式如(rú)下(xià)
2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,篇(piān)幅有(yǒu)限,恕不(bù)一(yī)一(yī)呈現(xiàn),欲知詳请,歡迎撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì),謝謝!






压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,廠(chǎng)家直(zhí)銷
電(diàn)源線(xiàn)之(zhī)間(jiān)或(huò)電(diàn)源線(xiàn)和(hé)大(dà)地(dì)之(zhī)間(jiān)的(de)連(lián)接,作(zuò)为(wèi)压敏電(diàn)阻器,有(yǒu)代(dài)表(biǎo)性(xìng)的(de)使用(yòng)场(chǎng)合是(shì)在(zài)電(diàn)源線(xiàn)及(jí)长(cháng)距離傳输的(de)信(xìn)号(hào)線(xiàn)遇到(dào)雷(léi)击而(ér)使導線(xiàn)存在(zài)浪湧脈沖等情(qíng)況下(xià)对(duì)電(diàn)子産品起(qǐ)保護作(zuò)用(yòng)。一(yī)般在(zài)線(xiàn)間(jiān)接入(rù)压敏電(diàn)阻器可(kě)对(duì)線(xiàn)間(jiān)的(de)感(gǎn)應(yìng)脈沖有(yǒu)效,而(ér)在(zài)線(xiàn)與(yǔ)地(dì)間(jiān)接入(rù)压敏電(diàn)阻則对(duì)傳输線(xiàn)和(hé)大(dà)地(dì)間(jiān)的(de)感(gǎn)應(yìng)脈沖有(yǒu)效。若進(jìn)一(yī)步将線(xiàn)間(jiān)連(lián)接與(yǔ)線(xiàn)地(dì)連(lián)接两(liǎng)種(zhǒng)形式組合起(qǐ)来(lái),則可(kě)对(duì)浪湧脈沖有(yǒu)更(gèng)好的(de)吸收(shōu)作(zuò)用(yòng)。

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,篇(piān)幅有(yǒu)限,恕不(bù)一(yī)一(yī)呈現(xiàn),欲知詳请,歡迎撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì),謝謝!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |