| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,更(gèng)專業
压敏電(diàn)压
压敏電(diàn)压是(shì)指在(zài)電(diàn)流为(wèi)1mA时(shí)測得的(de)压敏電(diàn)阻器两(liǎng)端的(de)電(diàn)压降,它(tā)沒(méi)考慮压敏電(diàn)阻器的(de)尺(chǐ)寸(cùn);E0.5是(shì)指在(zài)電(diàn)流为(wèi)0.5mA/cm2下(xià)測得的(de)加在(zài)压敏電(diàn)阻器上(shàng)的(de)電(diàn)场(chǎng)強(qiáng)度(dù);C值是(shì)指在(zài)電(diàn)流为(wèi)1A(也(yě)有(yǒu)的(de)地(dì)方(fāng)说(shuō)1mA,但差别不(bù)大(dà))时(shí)压敏電(diàn)阻器两(liǎng)端的(de)電(diàn)压降。在(zài)n个(gè)相同(tóng)的(de)压敏電(diàn)阻器串聯或(huò)並(bìng)聯时(shí)C值的(de)變(biàn)化(huà)如(rú)下(xià):
a)串聯时(shí)電(diàn)流不(bù)變(biàn),電(diàn)压增大(dà)n倍,这(zhè)时(shí)C值提(tí)高n倍,可(kě)利用(yòng)压敏電(diàn)阻器串聯来(lái)提(tí)高工作(zuò)電(diàn)压。
V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α
b)並(bìng)聯时(shí)電(diàn)压不(bù)變(biàn),電(diàn)流增大(dà)n倍,C值幾(jǐ)乎不(bù)變(biàn),可(kě)利用(yòng)压敏電(diàn)阻器的(de)並(bìng)聯来(lái)提(tí)高通(tòng)流容量(liàng)。
I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α

源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻免費取(qǔ)樣(yàng),一(yī)个(gè)電(diàn)話(huà)搞定(dìng)!






压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,更(gèng)專業
合理(lǐ)的(de)配方(fāng)和(hé)工藝是(shì)控制材料的(de)化(huà)學(xué)成(chéng)分(fēn)和(hé)微觀结構,獲取(qǔ)優良的(de)宏觀物(wù)理(lǐ)性(xìng)能(néng)的(de)關(guān)键。而(ér)ZnO压敏陶瓷實(shí)验(yàn)配方(fāng)的(de)設計(jì)是(shì)晶粒(lì)能(néng)否低(dī)压化(huà)的(de)關(guān)键技術(shù)之(zhī)一(yī),各(gè)種(zhǒng)元(yuán)素的(de)添加和(hé)量(liàng)的(de)控制直(zhí)接影響材料的(de)顯微结構和(hé)晶界特(tè)性(xìng),進(jìn)而(ér)決定(dìng)压敏性(xìng)能(néng)。ZnO本(běn)身(shēn)的(de)電(diàn)性(xìng)質(zhì)对(duì)本(běn)征缺陷,尤其(qí)是(shì)对(duì)氧空(kōng)位(wèi)和(hé)鋅填隙比較敏感(gǎn),摻雜在(zài)压敏特(tè)性(xìng)的(de)形成(chéng)过(guò)程中(zhōng),影響燒结时(shí)晶粒(lì)的(de)生(shēng)长(cháng)、液相在(zài)冷(lěng)卻时(shí)的(de)去(qù)潤湿(shī)作(zuò)用(yòng)以及(jí)陶瓷的(de)電(diàn)子缺陷态。到(dào)目前(qián)为(wèi)止,人(rén)们(men)对(duì)低(dī)压化(huà)及(jí)摻雜改性(xìng)方(fāng)面(miàn)己經(jīng)作(zuò)了(le)很多研究工作(zuò),得到(dào)了(le)許多有(yǒu)價值的(de)结果(guǒ),如(rú)Co、Mn
、Sb等可(kě)改善非(fēi)線(xiàn)性(xìng)指數,Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可(kě)使ZnO晶粒(lì)絕緣和(hé)提(tí)供所(suǒ)需元(yuán)素(O2、Co、Mn、Zn等)到(dào)晶界,Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的(de)添加可(kě)改善穩定(dìng)性(xìng),而(ér)A1、Ga、F、Cr等可(kě)改善大(dà)電(diàn)流非(fēi)線(xiàn)性(xìng)指數(形成(chéng)ZnO晶粒(lì)中(zhōng)的(de)施主),Sb及(jí)Si可(kě)抑制晶粒(lì)生(shēng)长(cháng),Be、Ti、Sn則可(kě)促進(jìn)晶粒(lì)生(shēng)长(cháng)。

源林(lín)電(diàn)子是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,廠(chǎng)家直(zhí)銷!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |