BXcSAHDmm pCXsnFiFh 2yQEGm6
| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)技術(shù)团(tuán)隊
由于压敏電(diàn)阻器具有(yǒu)電(diàn)阻值随着外(wài)加電(diàn)压敏感(gǎn)變(biàn)化(huà)的(de)特(tè)性(xìng),所(suǒ)以它(tā)屬于半導體(tǐ)陶瓷元(yuán)件(jiàn)大(dà)家族中(zhōng)一(yī)員,其(qí)他(tā)的(de)半導體(tǐ)陶瓷元(yuán)件(jiàn)主要(yào)有(yǒu),对(duì)温(wēn)度(dù)敏感(gǎn)的(de)PTC、NTC以及(jí)各(gè)種(zhǒng)气(qì)敏、湿(shī)敏、光(guāng)敏、磁敏等元(yuán)件(jiàn)。 在(zài)压敏電(diàn)阻的(de)發(fà)展(zhǎn)史,除了(le)氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻以外(wài),還(huán)曾出(chū)現(xiàn)过(guò)齊納二(èr)极(jí)管、SiC、硒堆(duī)等压敏電(diàn)阻,由于齊納二(èr)极(jí)管性(xìng)價比較低(dī)、SiC、硒堆(duī)、等压敏電(diàn)阻的(de)特(tè)性(xìng)不(bù)能(néng)滿足應(yìng)用(yòng)的(de)需要(yào),現(xiàn)在(zài)都已經(jīng)被(bèi)氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻取(qǔ)代(dài);現(xiàn)在(zài),我们(men)一(yī)提(tí)到(dào)压敏電(diàn)阻,幾(jǐ)乎全(quán)部(bù)指的(de)是(shì)氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻。

源林(lín)電(diàn)子的(de)压敏電(diàn)阻廣受贊譽,可(kě)靠性(xìng)高、性(xìng)價比高,具有(yǒu)很強(qiáng)的(de)市场(chǎng)競争力,想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多压敏電(diàn)阻資料,歡迎来(lái)電(diàn)咨詢!






压敏電(diàn)阻是(shì)中(zhōng)国大(dà)陸的(de)名(míng)词(cí),意(yì)思(sī)是(shì)'在(zài)一(yī)定(dìng)電(diàn)流電(diàn)压範圍內(nèi)電(diàn)阻值随電(diàn)压而(ér)變(biàn)',或(huò)者(zhě)是(shì)说(shuō)'電(diàn)阻值对(duì)電(diàn)压敏感(gǎn)'的(de)阻器。相應(yìng)的(de)英文(wén)名(míng)稱叫“VDR”。 压敏電(diàn)阻器的(de)電(diàn)阻體(tǐ)材料是(shì)半導體(tǐ),所(suǒ)以它(tā)是(shì)半導體(tǐ)電(diàn)阻器的(de)一(yī)个(gè)品種(zhǒng)。現(xiàn)在(zài)大(dà)量(liàng)使用(yòng)的(de)'氧化(huà)鋅'(ZnO)压敏電(diàn)阻器,它(tā)的(de)主體(tǐ)材料有(yǒu)二(èr)價元(yuán)素(Zn)和(hé)六(liù)價元(yuán)素氧(O)所(suǒ)構成(chéng)。所(suǒ)以從材料的(de)角(jiǎo)度(dù)来(lái)看(kàn),氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻器是(shì)一(yī)種(zhǒng)“Ⅱ-Ⅵ族氧化(huà)物(wù)半導體(tǐ)”。 在(zài)中(zhōng)国台(tái)灣,压敏電(diàn)阻器是(shì)按其(qí)用(yòng)途来(lái)命名(míng)的(de),稱为(wèi)'突波(bō)吸收(shōu)器'。压敏電(diàn)阻器按其(qí)用(yòng)途有(yǒu)时(shí)也(yě)稱为(wèi)“電(diàn)沖击(浪湧)抑制器(吸收(shōu)器)”。

源林(lín)電(diàn)子的(de)压敏電(diàn)阻,工藝先(xiān)進(jìn),質(zhì)量(liàng)可(kě)靠,量(liàng)大(dà)價從優,歡迎来(lái)電(diàn)咨詢!
東(dōng)莞市源林(lín)電(diàn)子科技有(yǒu)限公(gōng)司
地(dì)址:廣東(dōng)省(shěng)東(dōng)莞市长(cháng)安(ān)鎮(zhèn)烏沙(shā)興發(fà)北路(lù)5号(hào)3号(hào)樓
BXcSAHDmm pCXsnFiFh 2yQEGm6