| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制,廠(chǎng)家直(zhí)銷
预击穿區(qū):是(shì)指在(zài)此(cǐ)區(qū)域內(nèi),施加于压敏電(diàn)阻器两(liǎng)端的(de)電(diàn)压小于其(qí)压敏電(diàn)压,其(qí)導電(diàn)屬于热(rè)激發(fà)電(diàn)子電(diàn)導機(jī)理(lǐ)。因此(cǐ),压敏電(diàn)阻器相當于一(yī)个(gè)10MΩ以上(shàng)的(de)絕緣電(diàn)阻,这(zhè)时(shí)通(tòng)过(guò)压敏電(diàn)阻器的(de)阻性(xìng)電(diàn)流仅为(wèi)微安(ān)級,可(kě)看(kàn)作(zuò)为(wèi)開(kāi)路(lù)。該區(qū)域是(shì)電(diàn)路(lù)正(zhèng)常運行时(shí)压敏電(diàn)阻器所(suǒ)處(chù)的(de)狀态。

源林(lín)電(diàn)子的(de)压敏電(diàn)阻,工藝先(xiān)進(jìn),質(zhì)量(liàng)可(kě)靠,量(liàng)大(dà)價從優,歡迎来(lái)電(diàn)咨詢!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻器已廣泛應(yìng)用(yòng)于过(guò)電(diàn)压保護、浪湧吸收(shōu)、过(guò)電(diàn)流洩放(fàng)等方(fāng)面(miàn),是(shì)防護電(diàn)气(qì)電(diàn)子設備因受雷(léi)電(diàn)閃击及(jí)其(qí)他(tā)瞬态電(diàn)磁干擾造成(chéng)傳導过(guò)電(diàn)压危害的(de)有(yǒu)效器件(jiàn),它(tā)的(de)性(xìng)能(néng)直(zhí)接影響安(ān)全(quán)保護效果(guǒ)。因氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻在(zài)系(xì)統或(huò)設備運行中(zhōng)必然存在(zài)老(lǎo)化(huà)劣化(huà)現(xiàn)象(xiàng),
故必須对(duì)其(qí)進(jìn)行定(dìng)期(qī)檢測,以防止老(lǎo)化(huà)劣化(huà)産品仍工作(zuò)在(zài)系(xì)統或(huò)設備中(zhōng)。然而(ér),目前(qián)檢測方(fāng)法(fǎ)所(suǒ)判定(dìng)的(de)压敏電(diàn)压U1mA和(hé)漏電(diàn)流I
leakage两(liǎng)个(gè)參數都存在(zài)拐點(diǎn)效應(yìng),即只(zhī)有(yǒu)當MOV劣化(huà)到(dào)一(yī)定(dìng)程度(dù)後(hòu),U1mA和(hé)Ileakage才会出(chū)現(xiàn)顯著變(biàn)化(huà);而(ér)在(zài)这(zhè)个(gè)拐點(diǎn)之(zhī)前(qián)U1mA和(hé)
Ileakage都符合SJ/T10349-93測試标(biāo)準的(de)要(yào)求[8],这(zhè)就(jiù)給(gěi)檢測结果(guǒ)带(dài)来(lái)不(bù)确定(dìng)性(xìng)。某个(gè)産品自(zì)身(shēn)已經(jīng)老(lǎo)化(huà)劣化(huà)到(dào)一(yī)定(dìng)程度(dù)需要(yào)及(jí)时(shí)更(gèng)換,但U1mA和(hé)Ileakage檢測值仍然合格。

源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻選型電(diàn)話(huà)就(jiù)在(zài)图(tú)片(piàn)中(zhōng),歡迎来(lái)電(diàn)!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,廠(chǎng)貨直(zhí)供
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻的(de)缺陷:
ZnO压敏電(diàn)阻器中(zhōng)的(de)缺陷有(yǒu)正(zhèng)一(yī)價和(hé)正(zhèng)二(èr)價的(de)Zni和(hé)Vo,負一(yī)價和(hé)負二(èr)價的(de)
VZn ,正(zhèng)一(yī)價的(de)DZn。VZn主要(yào)在(zài)晶界處(chù),VZn为(wèi)受主态,使晶粒(lì)表(biǎo)面(miàn)形成(chéng)一(yī)電(diàn)子耗盡层(céng)而(ér)産生(shēng)勢壘,约0.7eV。Zni容易遷移为(wèi)亚穩态,是(shì)老(lǎo)化(huà)産生(shēng)的(de)根(gēn)源所(suǒ)在(zài)。DZn可(kě)降低(dī)晶粒(lì)體(tǐ)的(de)電(diàn)阻,提(tí)高通(tòng)流容量(liàng)。Vo在(zài)氧不(bù)足的(de)ZnO-x中(zhōng)量(liàng)很少(shǎo),主要(yào)存在(zài)于晶界中(zhōng)。高温(wēn)时(shí)原子運動(dòng)加剧,在(zài)晶界中(zhōng)形成(chéng)大(dà)量(liàng)的(de)VZn和(hé)Vo,但Vo在(zài)冷(lěng)卻过(guò)程中(zhōng)容易從空(kōng)气(qì)中(zhōng)吸收(shōu)氧而(ér)消失。

源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻選型電(diàn)話(huà)就(jiù)在(zài)图(tú)片(piàn)中(zhōng),歡迎来(lái)電(diàn)!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |