| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)研發(fà)隊伍
压敏電(diàn)阻器在(zài)電(diàn)路(lù)的(de)过(guò)電(diàn)压防護中(zhōng),如(rú)果(guǒ)正(zhèng)常工作(zuò)在(zài)预击穿區(qū)和(hé)击穿區(qū),理(lǐ)论上(shàng)是(shì)不(bù)会損壞的(de)。但由于压敏電(diàn)阻器要(yào)长(cháng)期(qī)承受電(diàn)源電(diàn)压,電(diàn)路(lù)中(zhōng)暂态过(guò)電(diàn)压、超能(néng)量(liàng)过(guò)電(diàn)压随機(jī)的(de)不(bù)斷沖击及(jí)吸收(shōu)電(diàn)路(lù)儲能(néng)元(yuán)件(jiàn)釋放(fàng)能(néng)量(liàng),因此(cǐ),压敏電(diàn)阻器也(yě)是(shì)会損壞的(de)它(tā)的(de)壽命根(gēn)據(jù)所(suǒ)在(zài)電(diàn)路(lù)經(jīng)受的(de)过(guò)電(diàn)压幅值和(hé)能(néng)量(liàng)的(de)不(bù)同(tóng)而(ér)不(bù)同(tóng)。

源林(lín)電(diàn)子的(de)压敏電(diàn)阻,工藝先(xiān)進(jìn),質(zhì)量(liàng)可(kě)靠,量(liàng)大(dà)價從優,歡迎来(lái)電(diàn)咨詢!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制,廠(chǎng)家直(zhí)銷
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻在(zài)交流電(diàn)压作(zuò)用(yòng)下(xià)的(de)老(lǎo)化(huà):
當施加交流電(diàn)压一(yī)定(dìng)时(shí)間(jiān)後(hòu),氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻的(de)U-I特(tè)性(xìng)曲(qū)線(xiàn)發(fà)生(shēng)对(duì)稱變(biàn)化(huà),除了(le)特(tè)性(xìng)曲(qū)線(xiàn)的(de)變(biàn)化(huà)是(shì)对(duì)稱的(de)特(tè)點(diǎn)外(wài),改變(biàn)的(de)趨勢與(yǔ)施加直(zhí)流電(diàn)压的(de)趨勢相近(jìn)。試验(yàn)时(shí)所(suǒ)施加的(de)交流電(diàn)压梯(tī)度(dù)为(wèi)65V/mm,温(wēn)度(dù)为(wèi)70℃。試验(yàn)還(huán)表(biǎo)明(míng),不(bù)论是(shì)直(zhí)流還(huán)是(shì)交流作(zuò)用(yòng)電(diàn)压,老(lǎo)化(huà)試验(yàn)後(hòu)压敏電(diàn)阻U-I 特(tè)性(xìng)在(zài)预击穿區(qū)(即低(dī)電(diàn)场(chǎng)區(qū)域)的(de)變(biàn)化(huà)程度(dù)要(yào)比击穿區(qū)即(中(zhōng)電(diàn)场(chǎng)區(qū)域)大(dà)得多。

源林(lín)電(diàn)子的(de)压敏電(diàn)阻,工藝先(xiān)進(jìn),質(zhì)量(liàng)可(kě)靠,量(liàng)大(dà)價從優,歡迎来(lái)電(diàn)咨詢!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)技術(shù)团(tuán)隊更(gèng)專業
压敏電(diàn)阻交流作(zuò)用(yòng)下(xià)的(de)老(lǎo)化(huà)機(jī)理(lǐ)
交流作(zuò)用(yòng)下(xià)。在(zài)正(zhèng)半周时(shí),假設右(yòu)側为(wèi)正(zhèng)极(jí)性(xìng),電(diàn)压主要(yào)加在(zài)右(yòu)側的(de)耗盡层(céng)上(shàng),使右(yòu)側的(de)Zni向(xiàng)晶界遷移,而(ér)左側所(suǒ)加電(diàn)压很低(dī),Zn
i向(xiàng)晶粒(lì)內(nèi)遷移不(bù)大(dà);在(zài)負半周,電(diàn)压主要(yào)加在(zài)左側,使左側Zni向(xiàng)晶界遷移,右(yòu)側这(zhè)时(shí)所(suǒ)加電(diàn)压很低(dī),Zni向(xiàng)晶粒(lì)體(tǐ)內(nèi)遷移不(bù)大(dà)。总的(de)结果(guǒ)是(shì)左右(yòu)两(liǎng)側的(de)Zni都向(xiàng)晶界遷移。

源林(lín)電(diàn)子是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,廠(chǎng)家直(zhí)銷!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |