| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,廠(chǎng)家直(zhí)銷
電(diàn)源線(xiàn)之(zhī)間(jiān)或(huò)電(diàn)源線(xiàn)和(hé)大(dà)地(dì)之(zhī)間(jiān)的(de)連(lián)接,作(zuò)为(wèi)压敏電(diàn)阻器,有(yǒu)代(dài)表(biǎo)性(xìng)的(de)使用(yòng)场(chǎng)合是(shì)在(zài)電(diàn)源線(xiàn)及(jí)长(cháng)距離傳输的(de)信(xìn)号(hào)線(xiàn)遇到(dào)雷(léi)击而(ér)使導線(xiàn)存在(zài)浪湧脈沖等情(qíng)況下(xià)对(duì)電(diàn)子産品起(qǐ)保護作(zuò)用(yòng)。一(yī)般在(zài)線(xiàn)間(jiān)接入(rù)压敏電(diàn)阻器可(kě)对(duì)線(xiàn)間(jiān)的(de)感(gǎn)應(yìng)脈沖有(yǒu)效,而(ér)在(zài)線(xiàn)與(yǔ)地(dì)間(jiān)接入(rù)压敏電(diàn)阻則对(duì)傳输線(xiàn)和(hé)大(dà)地(dì)間(jiān)的(de)感(gǎn)應(yìng)脈沖有(yǒu)效。若進(jìn)一(yī)步将線(xiàn)間(jiān)連(lián)接與(yǔ)線(xiàn)地(dì)連(lián)接两(liǎng)種(zhǒng)形式組合起(qǐ)来(lái),則可(kě)对(duì)浪湧脈沖有(yǒu)更(gèng)好的(de)吸收(shōu)作(zuò)用(yòng)。

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,篇(piān)幅有(yǒu)限,恕不(bù)一(yī)一(yī)呈現(xiàn),欲知詳请,歡迎撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì),謝謝!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,滿足个(gè)性(xìng)化(huà)需求
ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)微觀结構分(fēn)析發(fà)現(xiàn),形成(chéng)的(de)四(sì)个(gè)主要(yào) 成(chéng)分(fēn)是(shì) ZnO、尖晶石(dàn)、焦綠(lǜ)石(dàn)和(hé)一(yī)些富 Bi 相(图(tú) 3)。图(tú) 中(zhōng)也(yě)指明(míng)了(le)組分(fēn)存在(zài)的(de)部(bù)位(wèi),還(huán)存在(zài)一(yī)些用(yòng)現(xiàn)有(yǒu)技術(shù)尚不(bù) 易檢測出(chū)来(lái)的(de)其(qí)它(tā)次(cì)要(yào)相。 ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)典型晶粒(lì)尺(chǐ)寸(cùn)在(zài)15和(hé)20μm 之(zhī)間(jiān), 並(bìng)且(qiě)也(yě)总是(shì)伴有(yǒu)双(shuāng)晶。SiO2的(de)存在(zài)抑制晶粒(lì)生(shēng)长(cháng),而(ér) TiO2 和(hé) BaO 則加速晶粒(lì)长(cháng)大(dà)。尖晶石(dàn)和(hé)焦綠(lǜ)石(dàn)相对(duì)晶粒(lì)长(cháng)大(dà)有(yǒu) 抑制作(zuò)用(yòng)。焦綠(lǜ)石(dàn)相在(zài)低(dī)温(wēn)时(shí)起(qǐ)作(zuò)用(yòng),而(ér)尖晶石(dàn)相在(zài)高温(wēn) 时(shí)有(yǒu)利。當用(yòng)盐(yán)酸(suān)浸蝕晶粒(lì)时(shí),中(zhōng)間(jiān)相呈現(xiàn)出(chū)在(zài)電(diàn)性(xìng)上(shàng)絕 緣的(de)三維网(wǎng)絡。 燒结形成(chéng)的(de) ZnO 晶粒(lì)是(shì) ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)基本(běn)構成(chéng)單純 ZnO 是(shì)具有(yǒu)線(xiàn)性(xìng) I-U 特(tè)性(xìng)的(de)非(fēi)化(huà)學(xué)計(jì)量(liàng) n 型半導 體(tǐ)。進(jìn)入(rù) ZnO 中(zhōng)的(de)各(gè)種(zhǒng)添加物(wù)使其(qí)具有(yǒu)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)。这(zhè)些氧 化(huà)物(wù)中(zhōng)主要(yào)是(shì) Bi 2O3。这(zhè)些氧化(huà)物(wù)的(de)引入(rù),在(zài)晶粒(lì)和(hé)晶粒(lì) 邊(biān)界處(chù)形成(chéng)原子缺陷,施主或(huò)類(lèi)施主缺陷支配着耗盡层(céng), 而(ér)受主和(hé)類(lèi)受主缺陷支配着晶粒(lì)邊(biān)界狀态。相關(guān)的(de)缺陷類(lèi) 型是(shì)鋅空(kōng)位(wèi)(V Zn'、V Zn'')、氧空(kōng)位(wèi)(V o 、V o )、填隙鋅

源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻免費取(qǔ)樣(yàng),一(yī)个(gè)電(diàn)話(huà)搞定(dìng)!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)工廠(chǎng)
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻在(zài)直(zhí)流電(diàn)压作(zuò)用(yòng)下(xià)的(de)老(lǎo)化(huà):
在(zài)直(zhí)流電(diàn)压的(de)作(zuò)用(yòng)下(xià),氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻的(de)U-I曲(qū)線(xiàn)發(fà)生(shēng)不(bù)对(duì)稱變(biàn)化(huà),即在(zài)施加電(diàn)压一(yī)段(duàn)时(shí)間(jiān)後(hòu),試验(yàn)时(shí)施加的(de)電(diàn)压梯(tī)度(dù)为(wèi)95V/mm,温(wēn)度(dù)为(wèi)70℃。加压後(hòu)在(zài)測量(liàng)压敏電(diàn)阻的(de)U-I特(tè)性(xìng)表(biǎo)明(míng),在(zài)同(tóng)樣(yàng)的(de)電(diàn)压下(xià),流过(guò)压敏電(diàn)阻的(de)電(diàn)流将增加。
不(bù)对(duì)稱變(biàn)化(huà)表(biǎo)現(xiàn)在(zài):和(hé)老(lǎo)化(huà)試验(yàn)電(diàn)压极(jí)性(xìng)相反(fǎn)的(de)伏安(ān)特(tè)性(xìng)的(de)變(biàn)化(huà)比极(jí)性(xìng)一(yī)致(zhì)的(de)正(zhèng)方(fāng)向(xiàng)特(tè)性(xìng)右(yòu)的(de)變(biàn)化(huà)要(yào)大(dà)。随所(suǒ)施加電(diàn)压和(hé)加压时(shí)間(jiān)的(de)增加,U-I 特(tè)性(xìng)曲(qū)線(xiàn)的(de)改變(biàn)程度(dù)也(yě)加大(dà)。

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,每个(gè)客戶的(de)个(gè)性(xìng)化(huà)需求不(bù)一(yī),想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器的(de)信(xìn)息,请撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì),謝謝!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |