| 热(rè)門(mén)搜索： 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
供應(yìng)信(xìn)息
压敏電(diàn)阻采購，就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子，个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制，廠(chǎng)家直(zhí)銷
zno压敏電(diàn)阻是(shì)半導體(tǐ)電(diàn)子陶瓷器件(jiàn)，主要(yào)功能(néng)是(shì) 識别和(hé)限制瞬态过(guò)電(diàn)压，反(fǎn)複使用(yòng)而(ér)不(bù)損壞。它(tā)的(de)電(diàn)流 （Ｉ）—電(diàn)压（Ｕ）特(tè)性(xìng)是(shì)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)的(de)，與(yǔ)穩压二(èr)极(jí)管相似。 但與(yǔ)二(èr)极(jí)管不(bù)同(tóng)，压敏電(diàn)阻能(néng)限制的(de)过(guò)電(diàn)压在(zài)两(liǎng)个(gè)极(jí)性(xìng)上(shàng) 相等，于是(shì)呈現(xiàn)的(de) Ｉ－Ｕ 特(tè)性(xìng)很象(xiàng)两(liǎng)个(gè)背对(duì)背的(de)二(èr)极(jí)管。 压敏電(diàn)阻能(néng)用(yòng)于交流和(hé)直(zhí)流電(diàn)场(chǎng)，電(diàn)压範圍從幾(jǐ)伏到(dào)幾(jǐ)千(qiān) 伏，電(diàn)流範圍從毫(háo)安(ān)到(dào)幾(jǐ)千(qiān)安(ān)。压敏電(diàn)阻還(huán)附加有(yǒu)高能(néng)量(liàng) 吸收(shōu)能(néng)力的(de)特(tè)性(xìng)，範圍從幾(jǐ)焦耳到(dào)幾(jǐ)千(qiān)焦耳。它(tā)的(de)通(tòng)用(yòng)性(xìng) 使得压敏電(diàn)阻在(zài)半導體(tǐ)工業和(hé)電(diàn)力工業都有(yǒu)應(yìng)用(yòng)。 ＺｎＯ 压敏電(diàn)阻是(shì)用(yòng)半導體(tǐ) ＺｎＯ 粉末(mò)和(hé)其(qí)它(tā)氧化(huà)物(wù)粉末(mò) 如(rú)：Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ 等經(jīng)过(guò)混合、压型和(hé)燒 结工藝而(ér)制成(chéng)。得到(dào)的(de)産品是(shì)具有(yǒu)晶界特(tè)性(xìng)的(de)多晶陶瓷， 这(zhè)一(yī)邊(biān)界特(tè)性(xìng)決定(dìng)了(le)压敏電(diàn)阻的(de)非(fēi)線(xiàn)性(xìng) Ｉ－Ｕ 特(tè)性(xìng)。 ＺｎＯ 压敏電(diàn)阻的(de)基本(běn)特(tè)性(xìng)包(bāo)括電(diàn)學(xué)特(tè)性(xìng)、物(wù)理(lǐ)特(tè)性(xìng)和(hé) 化(huà)學(xué)特(tè)性(xìng)。微觀结構是(shì)體(tǐ)現(xiàn)这(zhè)些性(xìng)質(zhì)的(de)媒介，是(shì) ＺｎＯ 压敏 電(diàn)阻的(de)基礎。
源林(lín)電(diàn)子是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器，自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊，廠(chǎng)家直(zhí)銷！
压敏電(diàn)阻采購，就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子，型号(hào)豐富
压敏電(diàn)压U1mA
压敏電(diàn)阻的(de)線(xiàn)性(xìng)向(xiàng)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)轉(zhuǎn)變(biàn)的(de)電(diàn)压轉(zhuǎn)變(biàn)时(shí)，位(wèi)于非(fēi)線(xiàn)性(xìng)的(de)起(qǐ)點(diǎn)電(diàn)压正(zhèng)好在(zài)I-V曲(qū)線(xiàn)的(de)的(de)拐點(diǎn)上(shàng)，該電(diàn)压确定(dìng)为(wèi)元(yuán)件(jiàn)的(de)启動(dòng)電(diàn)压，也(yě)稱为(wèi)压敏電(diàn)压，是(shì)由阻性(xìng)電(diàn)流測試而(ér)得的(de)。由于I-V曲(qū)線(xiàn)的(de)轉(zhuǎn)變(biàn)點(diǎn)清(qīng)晰度(dù)不(bù)明(míng)顯，多數情(qíng)況下(xià)是(shì)在(zài)通(tòng)1mA電(diàn)流时(shí)測量(liàng)的(de)，用(yòng)U1mA来(lái)表(biǎo)示。对(duì)于一(yī)定(dìng)尺(chǐ)寸(cùn)規格的(de)ZnO压敏電(diàn)阻片(piàn)，可(kě)通(tòng)过(guò)調节(jié)配方(fāng)和(hé)元(yuán)件(jiàn)的(de)幾(jǐ)何尺(chǐ)寸(cùn)来(lái)改變(biàn)其(qí)压敏電(diàn)压。亦有(yǒu)使用(yòng)10mA電(diàn)流測定(dìng)的(de)電(diàn)压作(zuò)为(wèi)压敏電(diàn)压者(zhě)，以及(jí)使用(yòng)标(biāo)稱電(diàn)流測試者(zhě)，标(biāo)稱電(diàn)压定(dìng)義为(wèi)0.5mA/cm2，電(diàn)流密度(dù)測定(dìng)的(de)電(diàn)场(chǎng)強(qiáng)度(dù)E0.5表(biǎo)示，对(duì)于大(dà)多數压敏電(diàn)阻器而(ér)言，这(zhè)个(gè)值更(gèng)接近(jìn)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)的(de)起(qǐ)始點(diǎn)。3. 漏電(diàn)流IL压敏電(diàn)阻器進(jìn)入(rù)击穿區(qū)之(zhī)前(qián)在(zài)正(zhèng)常工作(zuò)電(diàn)压下(xià)所(suǒ)流过(guò)的(de)電(diàn)流，稱为(wèi)漏電(diàn)流IL。漏電(diàn)流主要(yào)由三部(bù)分(fēn)貢獻：元(yuán)件(jiàn)的(de)容性(xìng)電(diàn)流，元(yuán)件(jiàn)的(de)表(biǎo)面(miàn)态電(diàn)流和(hé)元(yuán)件(jiàn)晶界電(diàn)流。一(yī)般对(duì)漏電(diàn)流的(de)測量(liàng)是(shì)将0.83倍U1mA的(de)電(diàn)压加于压敏電(diàn)阻器两(liǎng)端，此(cǐ)时(shí)流过(guò)元(yuán)件(jiàn)的(de)電(diàn)流即为(wèi)漏電(diàn)流。根(gēn)據(jù)压敏電(diàn)阻器在(zài)预击穿區(qū)的(de)導電(diàn)機(jī)理(lǐ)，漏電(diàn)流的(de)大(dà)小明(míng)顯地(dì)受到(dào)环(huán)境温(wēn)度(dù)的(de)影響。當环(huán)境温(wēn)度(dù)較高时(shí)，漏電(diàn)流較大(dà)；反(fǎn)之(zhī)，漏電(diàn)流較小。可(kě)以通(tòng)过(guò)配方(fāng)的(de)調整及(jí)制造工藝的(de)改善来(lái)減小压敏電(diàn)阻器的(de)漏電(diàn)流。研究低(dī)压元(yuán)件(jiàn)的(de)漏電(diàn)流来(lái)源是(shì)很重(zhòng)要(yào)的(de)，为(wèi)了(le)促進(jìn)ZnO晶粒(lì)的(de)长(cháng)大(dà)，低(dī)压元(yuán)件(jiàn)中(zhōng)通(tòng)常会添加大(dà)量(liàng)的(de)TiO2，过(guò)量(liàng)摻雜造成(chéng)压敏元(yuán)件(jiàn)漏電(diàn)流增大(dà)[6]～[9]，在(zài)元(yuán)件(jiàn)性(xìng)能(néng)測試时(shí)容易引入(rù)假象(xiàng)，例如(rú)压敏電(diàn)压和(hé)启動(dòng)電(diàn)压偏離較大(dà)。測試元(yuán)件(jiàn)的(de)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)时(shí)，我们(men)希望漏電(diàn)流以通(tòng)过(guò)晶界的(de)電(diàn)流为(wèi)主。但低(dī)压元(yuán)件(jiàn)普遍(biàn)存在(zài)吸潮(cháo)現(xiàn)象(xiàng)，初燒成(chéng)的(de)低(dī)压元(yuán)件(jiàn)漏電(diàn)流可(kě)以保持(chí)在(zài)4～20μA內(nèi)，放(fàng)置8～24h後(hòu)，元(yuán)件(jiàn)的(de)漏電(diàn)流可(kě)以增大(dà)到(dào)200μA。这(zhè)樣(yàng)的(de)元(yuán)件(jiàn)的(de)晶界非(fēi)線(xiàn)性(xìng)並(bìng)沒(méi)有(yǒu)被(bèi)破壞，但卻表(biǎo)現(xiàn)出(chū)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)低(dī)，压敏電(diàn)压也(yě)稍有(yǒu)降低(dī)的(de)表(biǎo)象(xiàng)。
由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多，篇(piān)幅有(yǒu)限，恕不(bù)一(yī)一(yī)呈現(xiàn)，欲知詳请，歡迎撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì)，謝謝！
压敏電(diàn)阻采購，就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子，个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制，廠(chǎng)家直(zhí)銷
連(lián)續工作(zuò)電(diàn)压MCOV
連(lián)續工作(zuò)電(diàn)压MCOV指的(de)是(shì)压敏電(diàn)阻在(zài)應(yìng)用(yòng)时(shí)能(néng)长(cháng)期(qī)承受的(de)直(zhí)流電(diàn)压UDC或(huò)交流電(diàn)压有(yǒu)效值URMS直(zhí)流電(diàn)压的(de)值为(wèi)80%~92%U1mA，或(huò)産品在(zài)85℃下(xià)，正(zhèng)常工作(zuò)1000h，施加的(de)直(zhí)流電(diàn)压；交流電(diàn)压的(de)值为(wèi)60%~65%U1mA，或(huò)産品在(zài)85℃下(xià)，正(zhèng)常工作(zuò)1000h，施加的(de)交流電(diàn)压。
源林(lín)電(diàn)子的(de)压敏電(diàn)阻，工藝先(xiān)進(jìn)，質(zhì)量(liàng)可(kě)靠，量(liàng)大(dà)價從優，歡迎来(lái)電(diàn)咨詢！
您好，歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子，歡迎咨詢...
 触屏版二(èr)維碼 |
