| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,滿足个(gè)性(xìng)化(huà)需求
压敏電(diàn)阻的(de)特(tè)點(diǎn)是(shì)當加在(zài)它(tā)上(shàng)面(miàn)的(de)電(diàn)压低(dī)于它(tā)的(de)閥值'UN'时(shí),流过(guò)它(tā)的(de)電(diàn)流极(jí)小,相當于一(yī)只(zhī)關(guān)死的(de)閥門(mén),當電(diàn)压超过(guò)UN时(shí),流过(guò)它(tā)的(de)電(diàn)流激增,相當于閥門(mén)打(dǎ)開(kāi)。利用(yòng)这(zhè)一(yī)功能(néng),可(kě)以抑制電(diàn)路(lù)中(zhōng)經(jīng)常出(chū)現(xiàn)的(de)异(yì)常过(guò)電(diàn)压,保護電(diàn)路(lù)免受过(guò)電(diàn)压的(de)損害。例如(rú):
現(xiàn)在(zài)我们(men)家用(yòng)的(de)彩電(diàn)的(de)電(diàn)源電(diàn)路(lù)中(zhōng)就(jiù)使用(yòng)了(le)氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻,这(zhè)里(lǐ)使用(yòng)的(de)压敏電(diàn)阻的(de)閥值電(diàn)压约为(wèi)270V,當電(diàn)源電(diàn)压小于270V时(shí)(正(zhèng)常值为(wèi)220V)它(tā)相當于不(bù)導通(tòng),而(ér)當電(diàn)源异(yì)常,短(duǎn)时(shí)超过(guò)270V时(shí),它(tā)就(jiù)導通(tòng),将電(diàn)压限制在(zài)270V。

源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻免費取(qǔ)樣(yàng),一(yī)个(gè)電(diàn)話(huà)搞定(dìng)!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,廠(chǎng)家直(zhí)銷
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻的(de)功率損耗和(hé)阻性(xìng)電(diàn)流的(de)增加:
在(zài)直(zhí)流電(diàn)压作(zuò)用(yòng)下(xià)对(duì)氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻進(jìn)行加速老(lǎo)化(huà)試验(yàn),試验(yàn)结果(guǒ)表(biǎo)明(míng),與(yǔ)交流電(diàn)压作(zuò)用(yòng)下(xià)压敏電(diàn)阻一(yī)樣(yàng),氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻的(de)功率損耗和(hé)阻性(xìng)電(diàn)流在(zài)老(lǎo)化(huà)試验(yàn)过(guò)程中(zhōng)明(míng)顯增加

源林(lín)電(diàn)子的(de)压敏電(diàn)阻器廣受贊譽,可(kě)靠性(xìng)高、性(xìng)價比高,具有(yǒu)很強(qiáng)的(de)市场(chǎng)競争力,想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器資料,歡迎来(lái)電(diàn)咨詢!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,廠(chǎng)貨直(zhí)供
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻的(de)缺陷:
ZnO压敏電(diàn)阻器中(zhōng)的(de)缺陷有(yǒu)正(zhèng)一(yī)價和(hé)正(zhèng)二(èr)價的(de)Zni和(hé)Vo,負一(yī)價和(hé)負二(èr)價的(de)
VZn ,正(zhèng)一(yī)價的(de)DZn。VZn主要(yào)在(zài)晶界處(chù),VZn为(wèi)受主态,使晶粒(lì)表(biǎo)面(miàn)形成(chéng)一(yī)電(diàn)子耗盡层(céng)而(ér)産生(shēng)勢壘,约0.7eV。Zni容易遷移为(wèi)亚穩态,是(shì)老(lǎo)化(huà)産生(shēng)的(de)根(gēn)源所(suǒ)在(zài)。DZn可(kě)降低(dī)晶粒(lì)體(tǐ)的(de)電(diàn)阻,提(tí)高通(tòng)流容量(liàng)。Vo在(zài)氧不(bù)足的(de)ZnO-x中(zhōng)量(liàng)很少(shǎo),主要(yào)存在(zài)于晶界中(zhōng)。高温(wēn)时(shí)原子運動(dòng)加剧,在(zài)晶界中(zhōng)形成(chéng)大(dà)量(liàng)的(de)VZn和(hé)Vo,但Vo在(zài)冷(lěng)卻过(guò)程中(zhōng)容易從空(kōng)气(qì)中(zhōng)吸收(shōu)氧而(ér)消失。

源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻選型電(diàn)話(huà)就(jiù)在(zài)图(tú)片(piàn)中(zhōng),歡迎来(lái)電(diàn)!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |