| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制,廠(chǎng)家直(zhí)銷
老(lǎo)化(huà)的(de)表(biǎo)現(xiàn):
老(lǎo)化(huà)是(shì)指在(zài)各(gè)種(zhǒng)外(wài)加應(yìng)力及(jí)外(wài)界因素作(zuò)用(yòng)下(xià),其(qí)性(xìng)能(néng)及(jí)電(diàn)气(qì)物(wù)理(lǐ)參數發(fà)生(shēng)改變(biàn),逐步偏離其(qí)起(qǐ)始性(xìng)能(néng)指标(biāo)。ZnO压敏電(diàn)阻器老(lǎo)化(huà)後(hòu)的(de)I-V特(tè)性(xìng),老(lǎo)化(huà)主要(yào)集中(zhōng)在(zài)预击穿區(qū),而(ér)击穿區(qū)的(de)老(lǎo)化(huà)較小,表(biǎo)現(xiàn)为(wèi)I-V特(tè)性(xìng)曲(qū)線(xiàn)在(zài)低(dī)電(diàn)场(chǎng)區(qū)向(xiàng)右(yòu)偏移,阻性(xìng)電(diàn)流加大(dà),功率損耗增大(dà),压敏電(diàn)压下(xià)降。直(zhí)流電(diàn)压作(zuò)用(yòng)後(hòu)的(de)老(lǎo)化(huà),I-V特(tè)性(xìng)不(bù)对(duì)稱;交流電(diàn)压作(zuò)用(yòng)下(xià)的(de)老(lǎo)化(huà)。另(lìng)老(lǎo)化(huà)後(hòu)電(diàn)容量(liàng)減小,介電(diàn)損耗增大(dà)。

源林(lín)電(diàn)子是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,廠(chǎng)家直(zhí)銷!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)技術(shù)团(tuán)隊
低(dī)電(diàn)场(chǎng)區(qū)域的(de)漏電(diàn)流
漏電(diàn)流包(bāo)括阻性(xìng)和(hé)容性(xìng)两(liǎng)部(bù)分(fēn),交流電(diàn)压下(xià)容性(xìng)電(diàn)流比阻性(xìng)電(diàn)流大(dà)得多。温(wēn)度(dù)升(shēng)高或(huò)電(diàn)场(chǎng)增大(dà),阻性(xìng)電(diàn)流增大(dà)。压敏電(diàn)压的(de)温(wēn)度(dù)系(xì)數在(zài)-10-4/℃—-10-3/℃之(zhī)間(jiān),計(jì)算公(gōng)式如(rú)下(xià):
T=dU1mA/(U1mAdT)

源林(lín)電(diàn)子的(de)压敏電(diàn)阻廣受贊譽,可(kě)靠性(xìng)高、性(xìng)價比高,具有(yǒu)很強(qiáng)的(de)市场(chǎng)競争力,想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多压敏電(diàn)阻資料,歡迎来(lái)電(diàn)咨詢!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,品類(lèi)豐富
压敏電(diàn)阻的(de)物(wù)理(lǐ)特(tè)性(xìng):
ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)是(shì)一(yī)種(zhǒng)晶粒(lì)邊(biān)界現(xiàn)象(xiàng),即在(zài)相 邻晶粒(lì)耗盡层(céng)中(zhōng)存在(zài)多數電(diàn)荷载(zài)流子(電(diàn)子)的(de)勢壘。認 为(wèi)肖特(tè)基勢壘像 ZnO 微结構中(zhōng)晶粒(lì)邊(biān)界勢壘。晶粒(lì)邊(biān)界 上(shàng)的(de)負表(biǎo)面(miàn)電(diàn)荷(電(diàn)子捕獲)是(shì)由晶界面(miàn)两(liǎng)側晶粒(lì)的(de)耗盡 层(céng)的(de)正(zhèng)電(diàn)荷来(lái)補償的(de)。热(rè)電(diàn)子發(fà)射和(hé)隧道(dào)效應(yìng)是(shì)主要(yào)的(de)傳 输機(jī)制。 近(jìn)發(fà)展(zhǎn)的(de)压敏電(diàn)阻勢壘的(de)晶粒(lì)邊(biān)界缺陷模型在(zài)改進(jìn) 穩電(diàn)压應(yìng)力下(xià),压敏電(diàn)阻的(de)穩定(dìng)性(xìng)上(shàng)取(qǔ)得了(le)很大(dà)進(jìn)展(zhǎn)。

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,每个(gè)客戶的(de)个(gè)性(xìng)化(huà)需求不(bù)一(yī),想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多压敏電(diàn)阻的(de)信(xìn)息,请撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì),謝謝
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |