| 热(rè)門(mén)搜索: 壓敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
壓敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制
ZnO壓敏電(diàn)阻器的(de)限壓原理(lǐ):
VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV),其(qí)中(zhōng)VS为(wèi)浪湧電(diàn)壓,Zsourc为(wèi)浪湧電(diàn)壓源的(de)阻抗,如(rú)傳輸線(xiàn)的(de)電(diàn)阻或(huò)線(xiàn)圈的(de)電(diàn)感(gǎn)等,ZSIOV
为(wèi)ZnO壓敏電(diàn)阻器在(zài)某電(diàn)流下(xià)的(de)電(diàn)阻。浪湧電(diàn)壓源的(de)阻抗往往被(bèi)低(dī)估,因(yīn)浪湧電(diàn)流包(bāo)含許多(duō)KHz—MHz的(de)交流成(chéng)分(fēn),其(qí)阻抗比低(dī)頻时(shí)大(dà)得多(duō)。

源林(lín)電(diàn)子壓敏電(diàn)阻選型電(diàn)話(huà)就(jiù)在(zài)图(tú)片中(zhōng),歡迎来(lái)電(diàn)!
壓敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,型号(hào)豐富
壓敏電(diàn)壓U1mA
壓敏電(diàn)阻的(de)線(xiàn)性(xìng)向(xiàng)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)轉(zhuǎn)變(biàn)的(de)電(diàn)壓轉(zhuǎn)變(biàn)时(shí),位(wèi)于(yú)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)的(de)起(qǐ)點(diǎn)電(diàn)壓正(zhèng)好(hǎo)在(zài)I-V曲(qū)線(xiàn)的(de)的(de)拐點(diǎn)上(shàng),該電(diàn)壓确定(dìng)为(wèi)元(yuán)件(jiàn)的(de)啟動(dòng)電(diàn)壓,也(yě)稱为(wèi)壓敏電(diàn)壓,是(shì)由(yóu)阻性(xìng)電(diàn)流測試而(ér)得的(de)。由(yóu)于(yú)I-V曲(qū)線(xiàn)的(de)轉(zhuǎn)變(biàn)點(diǎn)清(qīng)晰度(dù)不(bù)明(míng)顯,多(duō)數情(qíng)況下(xià)是(shì)在(zài)通(tòng)1mA電(diàn)流时(shí)測量(liàng)的(de),用(yòng)U1mA来(lái)表(biǎo)示。对(duì)于(yú)一(yī)定(dìng)尺(chǐ)寸(cùn)規格的(de)ZnO壓敏電(diàn)阻片,可(kě)通(tòng)过(guò)調节配方(fāng)和(hé)元(yuán)件(jiàn)的(de)几何尺(chǐ)寸(cùn)来(lái)改變(biàn)其(qí)壓敏電(diàn)壓。亦有(yǒu)使用(yòng)10mA電(diàn)流測定(dìng)的(de)電(diàn)壓作(zuò)为(wèi)壓敏電(diàn)壓者(zhě),以(yǐ)及(jí)使用(yòng)标稱電(diàn)流測試者(zhě),标稱電(diàn)壓定(dìng)义为(wèi)0.5mA/cm2,電(diàn)流密度(dù)測定(dìng)的(de)電(diàn)场(chǎng)強(qiáng)度(dù)E0.5表(biǎo)示,对(duì)于(yú)大(dà)多(duō)數壓敏電(diàn)阻器而(ér)言,这(zhè)个(gè)值更(gèng)接近(jìn)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)的(de)起(qǐ)始(shǐ)點(diǎn)。3. 漏電(diàn)流IL壓敏電(diàn)阻器進(jìn)入(rù)擊穿區(qū)之(zhī)前(qián)在(zài)正(zhèng)常工作(zuò)電(diàn)壓下(xià)所(suǒ)流过(guò)的(de)電(diàn)流,稱为(wèi)漏電(diàn)流IL。漏電(diàn)流主(zhǔ)要(yào)由(yóu)三(sān)部(bù)分(fēn)貢獻:元(yuán)件(jiàn)的(de)容性(xìng)電(diàn)流,元(yuán)件(jiàn)的(de)表(biǎo)面(miàn)态電(diàn)流和(hé)元(yuán)件(jiàn)晶界電(diàn)流。一(yī)般对(duì)漏電(diàn)流的(de)測量(liàng)是(shì)将0.83倍U1mA的(de)電(diàn)壓加于(yú)壓敏電(diàn)阻器两(liǎng)端,此(cǐ)时(shí)流过(guò)元(yuán)件(jiàn)的(de)電(diàn)流即为(wèi)漏電(diàn)流。根(gēn)據(jù)壓敏電(diàn)阻器在(zài)預擊穿區(qū)的(de)導電(diàn)機(jī)理(lǐ),漏電(diàn)流的(de)大(dà)小明(míng)顯地(dì)受到(dào)环(huán)境温(wēn)度(dù)的(de)影響。當环(huán)境温(wēn)度(dù)較高(gāo)时(shí),漏電(diàn)流較大(dà);反(fǎn)之(zhī),漏電(diàn)流較小。可(kě)以(yǐ)通(tòng)过(guò)配方(fāng)的(de)調整及(jí)制造工藝的(de)改善来(lái)減小壓敏電(diàn)阻器的(de)漏電(diàn)流。研究低(dī)壓元(yuán)件(jiàn)的(de)漏電(diàn)流来(lái)源是(shì)很重(zhòng)要(yào)的(de),为(wèi)了(le)促進(jìn)ZnO晶粒(lì)的(de)长(cháng)大(dà),低(dī)壓元(yuán)件(jiàn)中(zhōng)通(tòng)常会(huì)添加大(dà)量(liàng)的(de)TiO2,过(guò)量(liàng)掺杂造成(chéng)壓敏元(yuán)件(jiàn)漏電(diàn)流增大(dà)[6]~[9],在(zài)元(yuán)件(jiàn)性(xìng)能(néng)測試时(shí)容易引入(rù)假象(xiàng),例如(rú)壓敏電(diàn)壓和(hé)啟動(dòng)電(diàn)壓偏離較大(dà)。測試元(yuán)件(jiàn)的(de)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)时(shí),我(wǒ)们(men)希望漏電(diàn)流以(yǐ)通(tòng)过(guò)晶界的(de)電(diàn)流为(wèi)主(zhǔ)。但低(dī)壓元(yuán)件(jiàn)普遍(biàn)存在(zài)吸潮(cháo)現(xiàn)象(xiàng),初燒成(chéng)的(de)低(dī)壓元(yuán)件(jiàn)漏電(diàn)流可(kě)以(yǐ)保持(chí)在(zài)4~20μA内,放(fàng)置8~24h後(hòu),元(yuán)件(jiàn)的(de)漏電(diàn)流可(kě)以(yǐ)增大(dà)到(dào)200μA。这(zhè)樣(yàng)的(de)元(yuán)件(jiàn)的(de)晶界非(fēi)線(xiàn)性(xìng)並(bìng)沒(méi)有(yǒu)被(bèi)破壞,但卻表(biǎo)現(xiàn)出(chū)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)低(dī),壓敏電(diàn)壓也(yě)稍有(yǒu)降低(dī)的(de)表(biǎo)象(xiàng)。

由(yóu)于(yú)壓敏電(diàn)阻型号(hào)太多(duō),篇(piān)幅有(yǒu)限,恕不(bù)一(yī)一(yī)呈現(xiàn),欲知详請,歡迎撥打(dǎ)图(tú)片中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我(wǒ)们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì),謝謝!
壓敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)工廠(chǎng)
能(néng)量(liàng)吸收(shōu)能(néng)力:
能(néng)量(liàng)吸收(shōu)能(néng)力Wmax=Vmax·Imax·tmax其(qí)中(zhōng)Imax由(yóu)降額曲(qū)線(xiàn)上(shàng)查到(dào);Vmax可(kě)從I-V特(tè)性(xìng)曲(qū)線(xiàn)上(shàng)读(dú)取(qǔ),对(duì)應(yìng)Imax时(shí)的(de)電(diàn)壓值;tmax可(kě)用(yòng)矩形法(fǎ)求得,數據(jù)是(shì)用(yòng)2ms方(fāng)波(bō),加100次(cì)脈沖,脈沖间隔120s,|ΔU1mA/ U1mA |≤10%所(suǒ)能(néng)吸收(shōu)的(de)能(néng)量(liàng)。单位(wèi)體(tǐ)積的(de)能(néng)量(liàng)吸收(shōu)能(néng)力E上(shàng)限为(wèi)200-250J/cm3,也(yě)有(yǒu)报道(dào)超过(guò)1000J/cm3的(de)

源林(lín)電(diàn)子壓敏電(diàn)阻免費取(qǔ)樣(yàng),一(yī)个(gè)電(diàn)話(huà)搞定(dìng)!
您好(hǎo),歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 觸屏版二(èr)維碼 |