| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制
ZnO压敏電(diàn)阻器的(de)限压原理(lǐ):
VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV),其(qí)中(zhōng)VS为(wèi)浪湧電(diàn)压,Zsourc为(wèi)浪湧電(diàn)压源的(de)阻抗,如(rú)傳输線(xiàn)的(de)電(diàn)阻或(huò)線(xiàn)圈的(de)電(diàn)感(gǎn)等,ZSIOV
为(wèi)ZnO压敏電(diàn)阻器在(zài)某電(diàn)流下(xià)的(de)電(diàn)阻。浪湧電(diàn)压源的(de)阻抗往往被(bèi)低(dī)估,因浪湧電(diàn)流包(bāo)含許多KHz—MHz的(de)交流成(chéng)分(fēn),其(qí)阻抗比低(dī)頻时(shí)大(dà)得多。

源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻選型電(diàn)話(huà)就(jiù)在(zài)图(tú)片(piàn)中(zhōng),歡迎来(lái)電(diàn)!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)工廠(chǎng)
ZnO压敏電(diàn)阻器的(de)结構:
晶粒(lì)體(tǐ)为(wèi)電(diàn)阻率很低(dī)的(de)半導體(tǐ),晶界为(wèi)絕緣體(tǐ),類(lèi)似邊(biān)界层(céng)電(diàn)容器,另(lìng)在(zài)晶界形成(chéng)两(liǎng)背靠背的(de)肖特(tè)基勢壘。因邻近(jìn)晶粒(lì)的(de)取(qǔ)向(xiàng)不(bù)同(tóng),两(liǎng)晶粒(lì)交界處(chù)结構松弛,雜質(zhì)占據(jù)这(zhè)些位(wèi)置比占據(jù)體(tǐ)內(nèi)晶格位(wèi)置的(de)能(néng)量(liàng)低(dī),所(suǒ)以容易在(zài)晶界偏析。

源林(lín)電(diàn)子是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,廠(chǎng)家直(zhí)銷!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)研發(fà)隊伍
介電(diàn)特(tè)性(xìng):
压敏電(diàn)阻器類(lèi)似一(yī)邊(biān)界层(céng)電(diàn)容器,視在(zài)介電(diàn)常數很高。介電(diàn)常數和(hé)介電(diàn)損耗與(yǔ)頻率,温(wēn)度(dù)和(hé)所(suǒ)加的(de)電(diàn)压有(yǒu)關(guān),在(zài)30-106°C的(de)温(wēn)度(dù)範圍內(nèi),介電(diàn)常數随温(wēn)度(dù)升(shēng)高而(ér)增大(dà);介電(diàn)常數随頻率升(shēng)高而(ér)下(xià)降;電(diàn)容在(zài)低(dī)電(diàn)场(chǎng)區(qū)域随所(suǒ)加電(diàn)压的(de)增加而(ér)降低(dī),進(jìn)入(rù)中(zhōng)電(diàn)场(chǎng)區(qū)域随電(diàn)压增大(dà)而(ér)急剧上(shàng)升(shēng)。

源林(lín)電(diàn)子的(de)压敏電(diàn)阻,工藝先(xiān)進(jìn),質(zhì)量(liàng)可(kě)靠,量(liàng)大(dà)價從優,歡迎来(lái)電(diàn)咨詢!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |